类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：10A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

T4M10T800HE 具备一系列出色的电气和物理特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其高达800V的漏源电压（Vds）使其适用于高电压应用场景，同时±30V的栅源电压（Vgs）确保了器件在复杂电路中的稳定运行。此外，该器件的连续漏极电流为10A，足以满足大电流应用的需求。
　　这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。其高开关速度特性使其非常适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器和开关电源（SMPS）。
　　该器件的封装形式为TO-220AB，这种封装不仅具有良好的热管理性能，还便于安装和散热片连接，适用于需要长时间运行的高可靠性系统。T4M10T800HE 还具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护，防止器件损坏。

T4M10T800HE 通常被应用于多种高电压、高功率电子系统中。其主要用途包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及电机驱动器等。在太阳能逆变器中，该器件可以作为核心开关元件，实现高效的能量转换。在工业自动化系统中，T4M10T800HE 可用于控制电机和其他执行机构，提供快速响应和稳定的性能。此外，它还适用于照明控制系统、UPS（不间断电源）系统以及各种类型的功率因数校正（PFC）电路。由于其良好的热性能和可靠性，该器件也被广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统。

TK10A80D, IRF840, FQA10N80