类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：15A
　　最大功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.38Ω
　　栅极电荷(Qg)：典型值75nC
　　封装类型：TO-220

T4650D 是一款高性能的功率 MOSFET，广泛应用于工业控制和电源管理系统中。
　　首先，T4650D 的最大漏源电压为 500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和电机驱动等场合。该器件的漏极电流可达 15A，确保在高电流负载下仍能稳定工作。
　　其次，该器件的导通电阻（Rds(on)）典型值为 0.38Ω，使得在导通状态下损耗较低，提高了系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）典型值为 75nC，表明其在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于降低开关损耗。
　　T4650D 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，确保在高功率应用中能够有效散热，防止过热损坏。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛的工作环境，包括工业自动化、电源转换器和不间断电源（UPS）系统等。
　　该器件的可靠性较高，具备较强的抗过载和短路能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。此外，T4650D 的封装设计符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的电子设备制造。

T4650D 的应用范围广泛，尤其适用于高电压和高功率的电子系统。
　　在开关电源领域，T4650D 常用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，作为主开关器件，能够高效地控制电流流动，提高电源转换效率。在电机驱动和逆变器系统中，该器件可用于控制电机的运行状态，实现调速和节能效果。
　　此外，T4650D 也可用于照明设备，如 LED 驱动器和 HID（高强度气体放电灯）镇流器，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。在工业自动化设备中，该器件常用于 PLC（可编程逻辑控制器）和变频器中，作为关键的功率开关元件，确保系统的稳定运行。
　　在汽车电子领域，T4650D 可用于车载逆变器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS），满足车辆对高可靠性和高耐压能力的需求。在消费类电子产品中，该器件也可用于高功率充电器、智能插座和智能家电的电源管理模块。

TK15A50D, IRF840, 2SK2647