T4107D 时间：2025/9/3 1:08:10 阅读：11

T4107D是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场合。T4107D通常采用TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）封装形式，具有良好的散热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：75A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤7.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）

特性

T4107D具有多项优良特性，首先其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为7.5mΩ，非常适合高电流应用场景。
　　其次，该器件的最大漏源电压为100V，最大连续漏极电流可达75A，具备出色的功率处理能力。此外，T4107D的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，使其兼容多种驱动电路设计。
　　在热性能方面，T4107D采用了高效的封装技术，具有良好的散热能力，即使在高功率工作条件下也能保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适应性强，适合工业级和汽车电子应用。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。同时，其内部结构优化设计提升了抗雪崩击穿能力，增强了器件的可靠性和耐用性。

应用

T4107D广泛应用于多个领域，特别是在高功率和高效率要求的电路中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。
　　在电源管理方面，T4107D用于高效能电源模块中，作为主开关器件，提升转换效率并减少发热。在电机控制和驱动电路中，该器件可作为H桥的高/低端开关，提供快速响应和稳定性能。
　　此外，T4107D也适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、光伏逆变器和储能系统等应用，其高可靠性和宽温度范围使其在严苛环境中依然表现优异。