T30UIPB 是一款由东芝(Toshiba)推出的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率器件,广泛应用于工业电机控制、逆变器、电源系统等领域。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和BJT的低导通压降特性,具备高效能和高可靠性的特点。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):600V
最大集电极电流(IC):30A
工作温度范围:-40°C至150°C
封装类型:TO-247
导通压降(VCE_sat):约1.5V(在IC=30A时)
输入电容(Cies):约1900pF
短路耐受能力:有
T30UIPB 是一款性能优异的IGBT器件,其核心特性包括高耐压能力和较强的电流承载能力,适用于高功率应用场景。该器件在设计上优化了导通压降和开关损耗之间的平衡,使其在高频开关应用中表现出色。T30UIPB 的导通压降(VCE_sat)约为1.5V,在30A满载电流下仍能保持较低的损耗,有助于提升系统的整体能效。
此外,T30UIPB 具备良好的热稳定性和短路耐受能力,能够在极端工作条件下提供可靠的保护。其TO-247封装形式不仅便于散热管理,还简化了PCB布局和安装过程。由于其高输入阻抗特性,该器件可以通过较低的驱动功率实现高效的开关操作,从而降低了驱动电路的设计复杂度和成本。
该IGBT还具备良好的抗电磁干扰(EMI)性能,适用于对电磁兼容性要求较高的工业设备。T30UIPB 的设计确保了在长时间运行中的稳定性和耐用性,适合用于变频器、电机驱动器和不间断电源(UPS)等关键系统中。
T30UIPB 主要应用于工业自动化设备、变频器、电机驱动系统、电源转换设备、不间断电源(UPS)、焊接设备以及新能源系统(如太阳能逆变器)等。其高可靠性和高效能特性使其成为工业功率控制领域的理想选择。
T35UIPB,T30UJPH,T30UJPB