时间:2025/12/25 1:16:15
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T3002是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高功率场景。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和优异的热性能,能够在高频率下稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):120A
最大脉冲漏极电流(IDM):480A
导通电阻(RDS(on)):3.7mΩ(典型值,@VGS=10V)
功耗(PD):250W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
T3002的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。在高电流应用中,如电源转换器或电机控制电路中,这种低RDS(on)特性尤为重要。此外,T3002采用了先进的封装技术(TO-263),具备良好的散热性能,能够在高功率条件下保持稳定运行。
T3002的栅极驱动电压范围较宽(最高可达20V),允许使用标准的MOSFET驱动电路进行控制。其高耐压能力(30V VDS)使其适用于多种电源管理系统,包括电池供电设备、电源适配器和工业控制模块。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能,能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和稳定性。T3002的设计使其适用于高频开关应用,减少开关损耗,并支持更高的工作频率,从而缩小外部滤波元件的尺寸,提高系统集成度。
此外,T3002符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适合现代电子产品的绿色制造要求。
T3002常用于各种高功率电子系统中,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电动工具、电动车辆(EV/HEV)控制系统、电源分配单元(PDU)、工业自动化设备和电机驱动器。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率功率转换应用的理想选择。在汽车电子系统中,T3002可用于车载充电器(OBC)、逆变器以及电池保护电路等关键部件。
SiR142DP-T1-GE3, IRF1404, FDP3370, AUIRF1404S