时间:2025/12/26 1:17:26
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DRGR110MB100是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),专为高效率、低电压应用而设计。该器件采用先进的平面技术制造,具有较低的正向压降和快速的反向恢复时间,适用于需要高效能功率转换的电路中。其主要特点包括高电流承载能力、优良的热稳定性和可靠的封装性能,能够在较宽的温度范围内稳定工作。DRGR110MB100广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、续流二极管以及极性保护等场景。该器件符合RoHS环保要求,并通过了无卤素认证,适合现代绿色电子产品的设计需求。其SMB(DO-214AA)表面贴装封装形式便于自动化生产,节省PCB空间,提升系统集成度。
产品类型:肖特基二极管
配置:单路
最大重复反向电压(VRRM):100V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
最大正向压降(VF):850mV @ 1A, 125°C
最大反向漏电流(IR):200μA @ 100V, 125°C
反向恢复时间(trr):典型值5ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
封装类型:SMB (DO-214AA)
安装方式:表面贴装(SMD)
湿度敏感等级(MSL):1级(<=30°C/85% RH)
引脚数:2
DRGR110MB100采用肖特基势垒结构,具备显著的低正向压降特性,在1A电流下典型正向压降仅为850mV,这有效降低了导通损耗,提升了电源系统的整体效率。该低VF特性在电池供电设备或对能耗敏感的应用中尤为重要,有助于延长续航时间并减少散热设计负担。此外,由于其基于铂或钛等金属与硅形成的肖特基接触,该器件没有少数载流子存储效应,因此表现出极快的开关速度,反向恢复时间(trr)典型值仅为5ns,远优于传统PN结二极管。这种快速响应能力使其非常适合高频开关应用,如高频DC-DC转换器和开关模式电源(SMPS),能够显著减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。
该器件具有良好的热稳定性与可靠性,可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作,确保在极端环境条件下仍保持性能稳定。其SMB封装采用铜合金引线框架和先进模塑工艺,提供优异的导热性和机械强度,支持回流焊工艺,并满足工业级和汽车级应用的可靠性标准。同时,DRGR110MB100具备高达30A的峰值浪涌电流承受能力,能够在瞬态过流或启动冲击条件下安全运行,增强了系统的鲁棒性。器件还具有较低的反向漏电流,在高温环境下(125°C)最大仅为200μA,虽然肖特基二极管通常存在较高的反向漏电问题,但该型号通过优化工艺实现了较好的平衡,适用于大多数中低压应用场景。
此外,该产品符合国际环保标准,通过了RoHS指令和无卤素(Halogen-free)认证,适应全球市场的合规要求。其MSL 1级评级表明器件对湿气不敏感,无需特殊干燥包装或使用期限限制,简化了仓储与生产管理流程。作为一款性价比高的通用型肖特基二极管,DRGR110MB100在消费电子、工业控制、通信电源等领域得到了广泛应用,是替代传统快恢复二极管的理想选择。
DRGR110MB100广泛用于各类中低功率电源系统中,典型应用包括AC-DC适配器、USB充电器、便携式电子设备的DC-DC降压或升压转换电路。在这些应用中,它常被用作输出整流二极管或续流二极管,利用其低正向压降和快速恢复特性来提高转换效率并降低温升。此外,该器件也适用于太阳能充电控制器中的防反接保护电路,防止电池反向放电损坏光伏板。在电机驱动和继电器控制电路中,DRGR110MB100可作为感性负载的续流路径,抑制关断时产生的反向电动势,保护开关元件如MOSFET或三极管。其表面贴装封装形式适合自动化贴片生产线,广泛应用于路由器、智能家居设备、LED照明电源模块等紧凑型电子产品中。在汽车电子领域,尽管其未明确标注为AEC-Q101认证器件,但仍可用于非关键性的车载辅助电源系统,如车用USB充电模块或小型DC-DC转换器。
MBR1100T1G
SR1100
SS1P4