类型：射频场效应晶体管 (RF FET)
　　工艺技术：HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　频率范围：典型工作频率范围为 400 MHz 至 1 GHz
　　输出功率：可达 10W（典型值）
　　增益：20 dB 以上
　　漏极电流：最大 500 mA
　　封装类型：TO-243AA（SOT-89）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　漏极-源极电压 (Vds)：最大 30V
　　栅极-源极电压 (Vgs)：最大 ±10V

T3-1T+ 的主要特性之一是其采用的 HEMT 技术，该技术使得晶体管在高频下具有优异的性能。这种晶体管具有较低的噪声系数，适合用于射频前端放大器。其高增益特性确保了信号的放大效率，减少了额外放大级的需求。此外，T3-1T+ 的封装形式为 SOT-89，这是一种小型表面贴装封装，有助于节省电路板空间并提高装配效率。该晶体管的高线性度也使其适用于要求严格线性度的通信系统中，例如无线基站和射频测试设备。
　　在热管理方面，T3-1T+ 的封装设计和材料选择有助于在高功率操作下保持稳定的性能。其工作温度范围广泛（-55°C 至 +150°C），能够适应恶劣的环境条件。此外，该器件的输入和输出阻抗匹配良好，减少了对外部匹配电路的依赖，从而简化了设计和制造过程。T3-1T+ 还具有良好的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。这些特性共同确保了 T3-1T+ 在多种射频应用中的可靠性和高性能。

T3-1T+ 主要应用于射频通信系统中的功率放大模块，例如无线基站、卫星通信设备、射频测试仪器以及雷达系统。由于其在高频下的良好性能，它也被广泛用于UHF频段的广播和通信设备。此外，该晶体管还可用于医疗成像设备、工业控制系统的射频信号处理部分。在一些需要高可靠性和高性能的军用和航空航天应用中，T3-1T+ 也表现出色。它的高增益和低噪声特性使其适用于射频接收器的前端放大器，以提高信号质量和接收灵敏度。

T3-1T, T3-1T1, T3-2T+