时间：2025/12/27 9:53:04
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T2K110B7103KB-T是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于其广泛的表面贴装器件（SMD）产品线之一。该电容器采用先进的材料和制造工艺，旨在为现代电子设备提供高可靠性、小型化和高性能的解决方案。T2K110B7103KB-T具有较高的电容值与体积比，适用于需要稳定电容性能和良好温度特性的应用场合。该器件广泛应用于消费类电子产品、通信设备、计算机外围设备以及工业控制系统中。作为一款X7R介电材料制成的电容器，它在宽温度范围内（-55°C至+125°C）能够保持电容值的稳定性，变化不超过±15%。此外，该型号符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。其紧凑的封装尺寸有助于节省PCB空间，同时提高电路板的整体集成度。T2K110B7103KB-T在去耦、滤波、旁路和储能等典型应用场景中表现出色，是许多高频和中频电路设计中的理想选择。
电容: 10nF
容差: ±10%
额定电压: 100V
温度特性: X7R
工作温度范围: -55°C ~ +125°C
封装/尺寸: 0402 (1005公制)
直流电阻（DCR）: 典型值低于10mΩ
绝缘电阻: ≥1000MΩ 或 C·V ≥ 10000μF·V
时间常数: ≥1000秒
老化率: 每 decade 不超过2.5%
介质材料: 钡钛酸盐陶瓷
安装类型: 表面贴装（SMD）
端接类型: 镍阻挡层 / 锡镀层（Ni-Sn）
非重复浪涌电压: 最大130V
自谐振频率（SRF）: 约500MHz（取决于PCB布局）
等效串联电感（ESL）: 约0.2nH
等效串联电阻（ESR）: 在100kHz下约为10mΩ
T2K110B7103KB-T采用X7R型钡钛酸盐陶瓷介质，具备优异的温度稳定性，在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容值的变化控制在±15%以内，适合对温漂敏感的应用场景。其电容值为10nF（即103表示10×103pF），容差为±10%，确保了在批量生产中的一致性和可预测性。该器件的额定电压为100V，能够在瞬态过压条件下提供一定的安全裕度，适用于中高压电源线路的滤波与去耦。由于使用了高纯度陶瓷材料和精密叠层技术，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而在高频下仍能维持良好的阻抗特性，有效抑制噪声并提升电源完整性。
该型号采用0402（1.0mm × 0.5mm）小型化封装，极大节省了印刷电路板（PCB）的空间，适用于高密度组装环境，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及便携式医疗仪器。其端电极采用镍阻挡层加锡镀层结构，增强了抗机械应力能力和焊接可靠性，减少因热循环或弯曲导致的开裂风险。同时，该结构也提升了耐潮湿性和长期稳定性，满足J-STD-020回流焊标准要求。
T2K110B7103KB-T通过AEC-Q200认证的可能性较高（需查证具体批次），表明其具备车规级可靠性，可用于汽车电子系统中的噪声抑制和信号耦合。此外，该器件无磁性，不会干扰周围敏感元件，适用于高精度模拟电路和射频模块。其低损耗因子（tanδ）通常小于2.5%，保证了高效的能量存储与释放能力。整体而言，这款MLCC结合了高性能、小尺寸和高可靠性，是现代电子设计中理想的通用型陶瓷电容器。
T2K110B7103KB-T广泛应用于各类需要稳定电容性能和小型封装的电子电路中。在电源管理单元中，常用于DC-DC转换器的输入/输出滤波，以平滑电压波动并降低纹波噪声；在微处理器和FPGA的供电网络中，作为去耦电容使用，快速响应瞬态电流需求，维持核心电压稳定。该器件也适用于模拟前端电路中的耦合与旁路功能，例如音频放大器、传感器信号调理模块中，用于隔离直流分量并传递交流信号。在通信设备中，如无线基站、路由器和光模块，T2K110B7103KB-T可用于高频滤波和阻抗匹配网络，凭借其低ESR和良好高频响应特性，有效抑制电磁干扰（EMI）。
在消费类电子产品中，包括智能手机、平板电脑、智能手表和TWS耳机，该电容器因其微型化封装而被大量采用，用于射频模块、摄像头模组和电池管理系统中的噪声滤除。工业控制领域中，PLC控制器、人机界面（HMI）和电机驱动器也会利用该器件进行信号隔离和电源净化。此外，在汽车电子系统中，如ADAS传感器、车载信息娱乐系统和车身控制模块，T2K110B7103KB-T可用于抑制开关噪声和提高系统抗扰度。由于其符合RoHS指令且支持无铅回流焊工艺，适用于自动化SMT生产线，保障了大规模生产的良率和一致性。
C0603X7R103K100N
