时间：2025/6/20 14:18:51
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NTD2955G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合于需要高效能转换的应用。
该器件采用 TO-263 封装形式，具备良好的散热性能和电气特性，能够在较高功率等级下稳定工作。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：51A
导通电阻：1.8mΩ
总功耗：140W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
NTD2955G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 快速开关速度，可有效降低开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
5. 良好的热稳定性，确保长时间运行中的可靠性。
这些特性使其成为多种工业和消费类电子应用的理想选择。
NTD2955G 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 各种负载切换电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
其强大的电流处理能力和快速响应速度使它特别适合动态负载环境。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP5500
IXYS LF810
SUP75P06-12E
