时间：2025/8/16 3:30:33
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T2G6003028-FS 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的碳化硅（SiC）功率晶体管，属于其高性能宽禁带半导体产品系列。该器件采用了先进的SiC技术，具有出色的导通和开关性能，适用于高效率、高频率和高工作温度的电力电子应用。T2G6003028-FS是一款N沟道增强型场效应晶体管（FET），具有高耐压能力和低导通电阻，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
类型：SiC N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：650 V
连续漏极电流（ID）@ 25°C：30 A
最大工作温度：150°C
导通电阻（RDS(on)）：60 mΩ
栅极电荷（Qg）：110 nC
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 175°C
T2G6003028-FS 的核心优势在于其基于碳化硅材料的卓越性能。相比传统的硅基MOSFET，SiC MOSFET在导通损耗和开关损耗方面都有显著降低，使其非常适合用于高效率电力转换系统。此外，该器件具有极高的热导率，可在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
该晶体管的低导通电阻（RDS(on)）减少了导通状态下的功率损耗，从而提升了整体系统效率。同时，其快速的开关速度减少了开关损耗，有助于提高开关频率，从而减小了磁性元件和滤波器的尺寸，使系统更加紧凑。
T2G6003028-FS 还具备卓越的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供良好的保护性能。其封装采用TO-247形式，便于安装和散热管理，适用于工业级高功率应用。
该器件广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中，例如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、太阳能逆变器、储能系统、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高功率电源模块等。其优异的高温性能和高开关频率特性也使其成为48V轻混动力系统和数据中心电源的理想选择。
SiC MOSFET 可选替代型号包括 Infineon 的 IMZA65R048M1H、Cree/Wolfspeed 的 C3M0060065J、以及 onsemi 的 NTHL060N120SC1。这些型号在电压等级、电流能力和封装形式上与 T2G6003028-FS 相似，适用于类似的高功率应用环境。
