时间：2025/9/1 16:08:30
阅读：7
HY6264BL-10 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的 8K x 8 位高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问特性，适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片采用28引脚塑料双列直插封装（PDIP）或小型28引脚SOIC封装，适合多种应用场景。
容量：64Kbit（8K x 8位）
访问时间：10ns
电源电压：5V
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：28引脚 PDIP 或 28引脚 SOIC
最大工作频率：100MHz（基于访问时间计算）
输入/输出逻辑电平：TTL兼容
功耗（典型值）：工作模式下约100mA，待机模式下约10mA
HY6264BL-10 采用高速CMOS技术，具备出色的访问速度和稳定性。其10ns的访问时间使其适用于高速缓存、数据缓冲和实时控制等对时序要求严格的场合。该芯片支持TTL电平输入，兼容多种控制器和外围设备，简化了系统设计。其低功耗特性在待机模式下尤为明显，有助于延长电池供电设备的续航时间。
该SRAM芯片支持异步操作，无需外部时钟信号，简化了系统时序控制。其封装形式多样，包括PDIP和SOIC，便于在不同电路板设计中使用。HY6264BL-10具有较高的抗干扰能力和可靠性，适用于工业自动化、通信设备、测试仪器和嵌入式系统等应用场景。
HY6264BL-10 广泛应用于需要高速数据存储的电子设备中，如工业控制计算机、PLC（可编程逻辑控制器）、智能仪表、数据采集系统、通信模块和嵌入式处理器系统。其高速和低功耗特性也使其适用于便携式设备和实时控制系统。
CY6264BVLL-10, IDT7164SA10Y, AS6C6264-10TIN, MB8464B-10
