时间：2025/8/16 9:24:33
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T2G6001528-Q3 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）推出的 GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET）功率器件，专为高性能电源转换应用而设计。该器件采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具有极低的导通电阻、快速的开关速度以及高耐压能力，适用于诸如DC-DC转换器、服务器电源、电信设备和工业电源等高效率、高功率密度的场合。T2G6001528-Q3 采用先进的封装技术，提供优异的热管理和可靠性，符合汽车级（Automotive Grade）标准，适用于对稳定性和耐用性要求较高的应用场景。
类型：GaN FET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：15A（典型值）
导通电阻（RDS(on)）：150mΩ（最大值）
栅极电荷（QG）：10nC（典型值）
输入电容（Ciss）：450pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：PowerPAK 1212-8
认证标准：AEC-Q101（汽车级认证）
T2G6001528-Q3 具备多项先进特性，使其在高功率密度和高效率电源设计中表现出色。首先，其采用的 GaN 技术具有极低的导通电阻和极高的电子迁移率，使得器件在高电压下依然能够实现非常低的传导损耗，显著提高电源系统的整体效率。其次，该器件具有极快的开关速度，减少了开关损耗，使得设计人员能够在更高频率下运行电源转换器，从而减小磁性元件的尺寸，提高系统功率密度。
此外，T2G6001528-Q3 采用了增强型（e-mode）结构，确保在正常操作条件下器件具有自然关断的安全特性，增强了系统的可靠性。该器件还具备优异的热管理能力，封装设计支持高效的热量传导，确保在高温环境下仍能稳定工作。它还通过了 AEC-Q101 汽车级认证，适用于车载电源系统、充电基础设施等对可靠性要求极高的应用领域。
在应用设计方面，T2G6001528-Q3 可以与现有的驱动电路兼容，简化了设计流程，并减少了外围元件的需求。其高耐压能力（650V）和良好的动态性能使其非常适合用于高功率密度的 LLC 谐振转换器、图腾柱 PFC（功率因数校正）拓扑结构以及同步整流电路。
T2G6001528-Q3 主要应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电源系统。其中包括但不限于：服务器电源、电信整流器、工业电源模块、电动汽车充电设备、车载DC-DC转换器、太阳能逆变器、高功率适配器以及高频开关电源设计。由于其具备汽车级认证，该器件特别适合用于汽车电子系统中的功率转换模块。
GaN Systems GS66508T, Transphorm TP65H035WS, Infineon CoolGaN 600V, EPC2045
