类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 3.5mΩ（最大值可能为 4.5mΩ，取决于栅极电压）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功耗（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：DFN（双扁平无引脚）
　　引脚数：8

T2G4003532-FS MOSFET 采用了先进的沟槽栅极技术，提供非常低的导通电阻（RDS(on)），从而显著减少了导通损耗，提高了功率转换效率。其耐压能力高达100V，可应对高电压环境下的工作需求，确保器件在高应力条件下的稳定运行。此外，该器件的连续漏极电流能力为40A，适用于大电流应用，如电源管理和电机控制。
　　该MOSFET采用DFN封装，具有较小的体积和出色的散热性能。DFN封装的热阻较低，有助于将热量快速传导至PCB（印刷电路板），从而提高了器件在高功率工作时的可靠性。此外，该封装形式适用于表面贴装工艺，便于自动化生产，降低了制造成本。
　　T2G4003532-FS 的工作温度范围为-55°C至175°C，使其能够在极端环境条件下（如高温或低温）正常运行，适用于工业、汽车和消费类电子等多领域应用。该器件还具有良好的抗雪崩能力和高可靠性，可承受瞬态过电压和高电流应力，减少因外部环境变化导致的故障风险。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和同步整流器等应用场景。此外，其高栅极阈值电压稳定性确保了在各种工作条件下都能实现可靠的开关操作，减少误触发的可能性。

T2G4003532-FS MOSFET 可广泛应用于多个高性能功率电子系统中。其主要应用领域包括但不限于：电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统；电机驱动和控制电路，如无刷直流电机（BLDC）驱动器、伺服电机控制器等；工业自动化设备中的功率开关模块；以及汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等。
　　由于其高效率、低导通电阻和紧凑的DFN封装，该器件也适合用于空间受限但要求高功率密度的设计，例如便携式电子设备的充电管理模块、高密度服务器电源和LED照明驱动电路。此外，在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和工业电机控制装置中，T2G4003532-FS 也能够提供可靠的功率开关性能，提高整体系统效率和稳定性。

STL40N10F7、IPB04N040N、IRF3710、SiSS28DN、FDMS86180、FDS4410、FDMS86101