T2117-TAQY 时间：2025/12/24 17:39:38 阅读：18

T2117-TAQY是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率晶体管，主要用于高功率放大器、电源管理以及工业控制等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具备高可靠性和高效率的特性，能够满足严苛的工业和汽车电子需求。作为一款N沟道MOSFET，T2117-TAQY在高温环境下依然保持稳定的性能，适用于各种高要求的电子系统设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：200V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：200V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：17A
　　脉冲漏极电流（Idm）：68A
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

T2117-TAQY具有优异的电气性能和热稳定性，适用于高功率应用场景。其最大漏极-源极电压为200V，能够承受较高的电压应力，确保在高电压环境下稳定运行。该器件的连续漏极电流为17A，支持较大的电流负载，适用于需要高效功率放大的系统设计。此外，T2117-TAQY的最大脉冲漏极电流可达68A，使其能够在瞬态负载条件下提供出色的性能。
　　该MOSFET采用了低导通电阻（Rds(on)）设计，有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。同时，其栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的应用，提高了设计的灵活性。T2117-TAQY还具备良好的热管理能力，能够在高温环境下保持稳定的性能，延长器件的使用寿命。
　　在封装方面，T2117-TAQY采用TO-220封装，具有良好的散热性能，并且便于安装和维护。这种封装形式广泛应用于工业设备、汽车电子以及电源管理系统中，适用于各种高功率应用需求。

应用

T2117-TAQY广泛应用于工业自动化设备、电源管理系统、电动工具、逆变器以及汽车电子系统等领域。在工业控制中，该器件可用于驱动大功率负载，如电机和加热元件。在电源管理系统中，T2117-TAQY可作为高效的开关器件，实现对电力的精确控制。此外，该MOSFET还可用于电动车、太阳能逆变器以及UPS不间断电源等高功率应用场合，提供稳定可靠的性能支持。