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IS61LPS102418A-250B3-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:57:43 查看 阅读:31

IS61LPS102418A-250B3-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的高速、低功耗SRAM芯片。这款SRAM属于异步SRAM类别,适用于需要快速存取和低功耗的应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较高的可靠性和稳定性。IS61LPS102418A的容量为1Mbit(128K x 8或64K x 16),广泛用于通信设备、工业控制、嵌入式系统以及网络设备等领域。

参数

类型:异步SRAM
  容量:1Mbit
  组织结构:128K x 8 / 64K x 16
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:250MHz(最快)
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  封装引脚数:54
  功耗:典型值为150mA(待机模式下低至10mA)
  数据保持电压:1.5V
  封装尺寸:54-TSOP
  封装高度:10mm

特性

IS61LPS102418A-250B3-TR具备多项高性能特性。其高速访问时间可达250MHz,能够满足高速数据处理和缓存需求。该SRAM采用低功耗CMOS技术,在正常工作模式下的电流消耗仅为150mA,而在待机模式下可低至10mA,有效延长了电池供电设备的使用时间。
  此外,该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),适应不同的电源设计需求。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛环境条件下的工业级应用。
  该SRAM还支持数据保持模式,在系统断电或进入休眠状态时,数据可在低至1.5V的电压下保持不变,从而保护关键数据不丢失。
  在封装方面,IS61LPS102418A采用54引脚TSOP封装,具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间,非常适合高密度电路设计。

应用

IS61LPS102418A-250B3-TR被广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的各类电子系统中。典型应用包括路由器、交换机、工业控制器、打印机、测试设备、医疗设备以及嵌入式处理器系统。由于其低功耗特性,该芯片也常用于便携式设备和远程传感器模块中。

替代型号

IS61LV102418A-250B3-TR
  IS61LPS102418A-350B3-TR

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IS61LPS102418A-250B3-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织1M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率250 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间2.6 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)