BAS19LT1G是一款高性能的硅双极型晶体管,主要用作开关或放大用途。该晶体管采用TO-252表面贴装封装形式,具有小体积、高效率和良好的热性能。它适用于各种低功率消费电子设备及工业控制领域。BAS19LT1G为NPN类型晶体管,能够处理高达45V的集电极-发射极电压以及最大连续集电极电流为0.2A。其卓越的增益特性和快速开关能力使其成为众多应用中的理想选择。
此外,该晶体管还符合RoHS标准,适合无铅焊接工艺,从而满足环保要求。
集电极-发射极电压:45V
集电极-基极电压:50V
发射极-基极电压:6V
最大连续集电极电流:0.2A
直流电流增益(hFE):最小值100,典型值300
最大功耗:200mW
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
BAS19LT1G采用了先进的制造工艺,确保了其在电气特性和机械结构上的优越性。这款晶体管具有以下特点:
1. 高增益,适用于精确控制和信号放大的场合。
2. 快速开关时间,减少能耗并提升系统效率。
3. 小型化设计,易于集成到紧凑型电路中。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
5. 表面贴装技术(SMD),便于自动化生产,提高装配效率。
6. 符合RoHS标准,支持绿色环保理念。
BAS19LT1G广泛应用于各类需要小信号放大的电子产品中,包括但不限于以下领域:
1. 消费类电子产品,如手机充电器、音频设备等。
2. 工业控制领域,例如传感器信号放大、继电器驱动等。
3. 家用电器,比如微波炉、洗衣机中的控制电路。
4. 计算机外围设备,如打印机、扫描仪中的接口电路。
5. 照明控制,用于LED灯调光调色电路。
6. 通信设备,作为信号增强组件使用。
BAS19GW, BC847C