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T1M3F600A 发布时间 时间:2025/9/6 2:12:37 查看 阅读:14

T1M3F600A 是东芝(Toshiba)公司生产的一款功率晶体管,主要用于高功率开关和电源管理应用。这款晶体管属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,具有较高的电流和电压承受能力,适用于工业电源、直流电机控制、逆变器以及电力转换系统等场景。作为一款N沟道增强型MOSFET,T1M3F600A能够在高频率下运行,并具备较低的导通电阻,以提高系统的整体效率。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):3A
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220
  导通电阻(Rds(on)):约1.2Ω(最大值)
  功率耗散(Pd):50W
  输入电容(Ciss):约1100pF
  输出电容(Coss):约300pF
  反向恢复时间(trr):约150ns

特性

T1M3F600A MOSFET具备多项性能优势,使其适用于高功率和高频应用。首先,其漏源电压可达600V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电源和转换器设计。其次,导通电阻相对较低,约为1.2Ω,有助于降低导通损耗,提高能效。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作,适应严苛的环境条件。
  该晶体管采用TO-220封装,具有良好的散热性能,便于安装在散热片上以增强热管理。同时,其输入电容为1100pF左右,适合用于高频开关电路,有助于减少开关损耗并提高响应速度。T1M3F600A还具备较强的抗浪涌能力,可在短时间内承受较大的电流冲击,适用于电机驱动和开关电源等应用场景。

应用

T1M3F600A MOSFET主要应用于需要高压和中等电流控制的电力电子系统。例如,它常用于开关电源(SMPS)中的主开关器件,以实现高效的能量转换。此外,该器件也适用于直流电机驱动、逆变器和UPS(不间断电源)系统,用于控制高电压负载的导通与关断。在工业自动化控制系统中,T1M3F600A可用于功率继电器替代方案,提高系统的响应速度和可靠性。同时,该MOSFET也可用于LED照明驱动器、电池充电器以及各类高电压直流控制电路。

替代型号

T1M3F600A的替代型号包括STP3NK60Z(意法半导体)、2SK2545(东芝)、FQA3N60C(富士通)、IRFBC30(英飞凌)等。

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