时间：2025/7/23 10:22:15
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T1610H 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该晶体管专门设计用于高功率应用，具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化设备等应用场景。T1610H采用先进的封装技术，能够有效散热并确保在高负载条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：180A
导通电阻(Rds(on))：约1.7mΩ（典型值）
最大功耗(Pd)：320W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2Pak）
T1610H具备多项卓越的电气和热性能特点。其高耐压设计（100V Vds）使其能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种工业和汽车应用。该器件的导通电阻非常低，仅为1.7mΩ，能够显著降低功率损耗，提高能效。此外，T1610H支持高达180A的连续漏极电流，使其适用于高功率密度设计。采用TO-263封装形式，T1610H在散热性能上表现出色，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提升整体系统的可靠性和稳定性。此外，该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。
从制造工艺来看，T1610H采用了东芝先进的沟槽栅极技术和硅基工艺，优化了器件的开关特性和导通性能。这使得它在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提高了系统的整体效率。T1610H还具有较低的栅极电荷（Qg），进一步提升了其在高速开关电路中的适用性。
T1610H广泛应用于多个高性能功率电子领域。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，以提高转换效率并减少能量损耗。在工业自动化领域，T1610H被用于电机驱动器、逆变器和高功率LED照明系统。在汽车电子方面，它适用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）。此外，T1610H还常用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源（UPS）等新能源相关设备中，提供高可靠性和高效能的功率控制解决方案。
SiHF180N100D、IXFN180N10T、FDP180N10A、TPH1R40ANH
