时间：2025/9/3 18:46:35
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T1501N75TOH是一种高功率晶体管，主要用于需要高电压和高电流能力的电子电路中。这种晶体管基于N型沟道的功率MOSFET结构，适用于高效率的开关和放大应用。T1501N75TOH的封装形式为TO-247，便于安装在散热器上，从而有效管理运行过程中产生的热量。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A
漏源极击穿电压（VDS）：750V
栅源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约3.5mΩ
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
T1501N75TOH的主要特性包括其高电流和高电压承受能力，这使得它适合于高功率应用。此外，该器件具有较低的导通电阻，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。它的快速开关特性使其在高频应用中表现优异，同时，其坚固的封装设计确保了良好的热管理和可靠性。
此MOSFET的高栅极阈值电压确保了在各种工作条件下稳定的导通状态，同时也减少了意外导通的风险。其设计允许在高温环境下运行，而不会显著影响性能或可靠性，这使得T1501N75TOH在工业和高要求的应用中非常受欢迎。
T1501N75TOH适用于多种高功率电子设备，包括但不限于电源转换器、电机控制器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊设备和工业自动化系统。其高效率和高可靠性使其成为设计高要求电路时的理想选择，特别是在需要高效能和稳定性的应用中。
IXFN150N75T2, IRFP4668TRL7PP
