电容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　介质材料：X7R
　　封装类型：1210（3225公制）
　　绝缘电阻：10000MΩ
　　温度系数：±15%
　　最大高度：1.6mm

KTC7542M-RTK/H电容器具有出色的电气性能和机械强度，其X7R介质材料提供了在宽温度范围内稳定的电容值。该电容器采用了高密度多层陶瓷结构，使得在小型封装中实现了较大的电容值。此外，其高温耐受性使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。产品符合RoHS指令，不含有害物质，适用于自动化贴装工艺。
　　这款电容器还具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），从而在高频应用中表现出色。其优异的热稳定性和抗老化性能，使其在长期使用中保持稳定的电气参数。KTC7542M-RTK/H在过压和过热条件下具有良好的稳定性，适用于对可靠性要求较高的应用场景，如电源滤波、去耦、信号耦合等。
　　封装尺寸为1210（3225公制），便于在紧凑的PCB布局中使用，同时支持回流焊工艺，提高了生产效率和焊接质量。这种电容器在各类电子设备中广泛使用，包括汽车电子系统、工业控制设备、通信模块以及消费类电子产品。

KTC7542M-RTK/H陶瓷电容器广泛应用于多个领域，如汽车电子系统中的电源管理电路和传感器模块；工业控制设备中的滤波和稳压电路；通信设备中的信号处理和去耦电路；以及消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理和高频电路。由于其良好的温度稳定性和高频特性，该电容器特别适用于需要高可靠性和高性能的场合。

GRM319R71H475KA01L; C2012X7R1H475K125AB