S3160FGB 时间：2025/8/29 5:25:44 阅读：15

S3160FGB 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，属于N沟道增强型MOSFET。该器件主要设计用于高效率的电源管理应用，例如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各类开关电源设备。S3160FGB采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其在高频开关应用中表现出色。其封装形式为SOP（小外形封装）或者类似的小型表面贴装封装，适合现代电子设备对高密度和小型化的需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A（在Tc=25℃时）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约7.3mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：SOP/DFN

特性

S3160FGB的主要特性包括其出色的导通性能与高频开关能力，这得益于其优化的沟槽式MOSFET结构设计。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体能效。该器件能够在高电流负载下稳定工作，适用于需要高功率密度的应用场景。此外，S3160FGB具备较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，增强了系统的稳定性与寿命。
　　这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的栅极电压操作，确保了与不同驱动电路的兼容性。其封装形式为小型表面贴装封装，不仅减小了PCB布局的空间需求，还便于自动化生产与组装，提升了制造效率。S3160FGB的快速开关特性也减少了开关过程中的能量损耗，有助于提升电源转换效率并降低发热量。

应用

S3160FGB广泛应用于各种功率电子系统中，尤其适合需要高效率和高功率密度的设计。其典型应用包括同步整流的DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理模块以及各种类型的开关电源（SMPS）。此外，由于其低导通电阻和良好的热性能，S3160FGB也非常适合用于高功率LED照明、电动工具、无人机和工业自动化设备等对功率控制要求较高的场合。