类型：N 沟道
　　最大漏极电流 (Id)：10A
　　最大漏-源电压 (Vds)：30V
　　最大栅-源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：34mΩ
　　功率耗散 (Pd)：1.2W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

T10C340B MOSFET 具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 34mΩ，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。这使得该器件在高电流应用中表现尤为出色。其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 10A，能够在不显著增加热损耗的情况下处理较大的负载电流。此外，T10C340B 的最大漏-源电压为 30V，适用于多种中低电压电源管理应用。
　　该器件的栅-源电压范围为 ±20V，提供良好的栅极控制稳定性，避免因过高的栅极电压导致器件损坏。T10C340B 的封装为 TO-252（也称为 DPAK），这种表面贴装封装形式具有良好的热性能和机械稳定性，适合在紧凑型 PCB 设计中使用。其功率耗散能力为 1.2W，确保在正常工作条件下具有较低的温度上升。
　　此外，该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明其在极端温度环境下依然能够保持稳定运行，适用于工业和汽车等对环境适应性要求较高的应用。Vishay 的沟槽技术赋予该器件卓越的开关性能，降低了开关损耗，使其在高频开关应用中也表现良好。

T10C340B MOSFET 适用于多种功率电子应用。在电源管理系统中，它常用于同步整流、负载开关和电池管理电路，以提高系统效率和可靠性。在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性可显著减少能量损耗，提高转换效率。T10C340B 也可用于电机驱动和电源逆变器中，作为主开关元件，控制电机的速度和方向。
　　在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车身控制模块、车载充电器和电动助力转向系统等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为汽车和工业设备中理想的功率开关器件。此外，在 LED 照明系统中，T10C340B 可作为调光或开关控制元件，提供稳定的电流控制。它还常用于服务器电源、笔记本电脑电源适配器和消费类电子设备的电源管理电路中。

Si4410BDY, FDS6680, IRF7413, T10C340B 可替换型号包括具有相似电气特性和封装形式的 MOSFET 器件，例如 N 沟道 30V 10A 系列的其他型号，如 IPD90N309C3 和 FDS6679。