时间：2025/5/26 22:10:36
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LQH3NR39M34M00 是一款由 Rohm 公司生产的低导通电阻 N 沟道逻辑 级功率 MOSFET。该器件主要适用于要求高效能、低功耗的开关应用。其封装形式为 LFPAK8，具有极佳的散热性能和紧凑尺寸，非常适合用于空间受限的设计场景。
此 MOSFET 的特点是能够以较低的驱动电压实现完全导通，并且在高频切换时具备优秀的效率表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：37nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
LQH3NR39M34M00 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保了高效的电源转换以及最小化的传导损耗。
2. 小型化封装 LFPAK8 提供了卓越的热性能，同时节省了 PCB 布局空间。
3. 支持高频率操作，减少了电磁干扰并提高了系统整体效能。
4. 高可靠性设计，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 采用无铅制造工艺，符合 RoHS 标准，满足环保要求。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. 电动工具中的电机驱动电路。
3. 工业自动化控制系统的功率管理模块。
4. 便携式电子产品如笔记本电脑适配器和智能手机充电器等。
5. 新能源汽车及电动车电池管理系统中的关键元件。
LQH3NR39M26M00
LQH3NR39M38M00
