时间：2025/5/27 19:00:42
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Si2331DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 SOT-23 封装，适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关的应用场景。Si2331DS-T1-GE3 具有出色的电气特性和热性能，能够满足便携式设备、电源管理以及信号切换等应用需求。
作为 Vishay Siliconix 系列的一部分，该芯片以其优异的 Rds(on) 特性著称，同时具备较低的栅极电荷，从而优化了功率转换中的损耗表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.6A
栅源开启电压：2.5V
导通电阻：140mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：3nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
Si2331DS-T1-GE3 的主要特点包括：
1. 高效的低导通电阻设计，减少了传导损耗。
2. 极小的封装尺寸（SOT-23），非常适合空间受限的设计。
3. 快速开关速度，得益于其低栅极电荷。
4. 支持较宽的工作温度范围，确保在各种环境下的稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 可靠性高，适合长期运行的工业和消费类应用。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器及负载点（POL）调节器。
3. 手机、平板电脑和其他便携式电子设备的电池管理。
4. 电机驱动与控制电路。
5. 各种保护电路，例如过流保护或短路保护。
6. 信号切换和负载切换功能。
由于其小巧的外形和高效的性能，Si2331DS-T1-GE3 成为许多紧凑型设计的理想选择。
Si2301DS, Si2306DS, Si2319DS
