时间：2025/7/11 10:21:47
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Si2323CDS是由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用微型DFN1006-2L封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC/DC转换器、电池保护电路以及各种功率管理应用。
由于其小型化设计和出色的电气性能，Si2323CDS广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间敏感的电子设备中。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：8nC（典型值）
输入电容：18pF（典型值）
功耗：120mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻确保了高效率和低功耗。
2. 小型DFN1006-2L封装节省PCB空间。
3. 高速开关能力使其适用于高频应用。
4. 低栅极电荷减少了驱动损耗。
5. 宽工作温度范围使其能够在严苛环境下可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保且无卤素。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. DC/DC转换器和电源管理模块。
3. 电池保护电路和充电管理。
4. 便携式电子产品中的功率控制。
5. 各类消费类电子设备中的信号切换和功率分配。
Si2302DS, Si2303DS
