Si2323CDS是由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用微型DFN1006-2L封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC/DC转换器、电池保护电路以及各种功率管理应用。
由于其小型化设计和出色的电气性能,Si2323CDS广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间敏感的电子设备中。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:1.7A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
栅极电荷:8nC(典型值)
输入电容:18pF(典型值)
功耗:120mW
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻确保了高效率和低功耗。
2. 小型DFN1006-2L封装节省PCB空间。
3. 高速开关能力使其适用于高频应用。
4. 低栅极电荷减少了驱动损耗。
5. 宽工作温度范围使其能够在严苛环境下可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保且无卤素。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. DC/DC转换器和电源管理模块。
3. 电池保护电路和充电管理。
4. 便携式电子产品中的功率控制。
5. 各类消费类电子设备中的信号切换和功率分配。
Si2302DS, Si2303DS