您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI2323CDS

SI2323CDS 发布时间 时间:2025/7/11 10:21:47 查看 阅读:23

Si2323CDS是由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用微型DFN1006-2L封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC/DC转换器、电池保护电路以及各种功率管理应用。
  由于其小型化设计和出色的电气性能,Si2323CDS广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间敏感的电子设备中。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:1.7A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  输入电容:18pF(典型值)
  功耗:120mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻确保了高效率和低功耗。
  2. 小型DFN1006-2L封装节省PCB空间。
  3. 高速开关能力使其适用于高频应用。
  4. 低栅极电荷减少了驱动损耗。
  5. 宽工作温度范围使其能够在严苛环境下可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且无卤素。

应用

1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. DC/DC转换器和电源管理模块。
  3. 电池保护电路和充电管理。
  4. 便携式电子产品中的功率控制。
  5. 各类消费类电子设备中的信号切换和功率分配。

替代型号

Si2302DS, Si2303DS

Si2323CDS推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

Si2323CDS资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载