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SI2309CDS 发布时间 时间:2025/6/18 22:48:13 查看 阅读:4

Si2309CDS是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用微型的SOT-23封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器和电池管理电路等应用。它在低压工作条件下表现出优异的性能,能够满足现代电子设计对效率和空间节省的要求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:1.4A
  导通电阻(典型值):75mΩ
  栅极电荷:1.8nC
  输入电容:100pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

Si2309CDS具有非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  其小型SOT-23封装使其成为紧凑型设计的理想选择。
  该器件支持快速开关操作,从而减少了开关损耗,并且具备优良的热稳定性,适合长时间运行的应用场景。
  此外,它还拥有较高的雪崩击穿能量能力,增强了在异常条件下的耐用性。

应用

Si2309CDS广泛应用于各种便携式电子产品中,例如手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。
  它也常被用作负载开关,在需要精确控制电流流动的场合发挥重要作用。
  此外,这款MOSFET适用于降压或升压型DC-DC转换器,以及电池充电保护电路等领域。

替代型号

Si2303DS, Si2305DS, BSS138

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