时间：2025/5/19 16:16:41
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BC808-25E6327 是一款高性能的功率MOSFET芯片，通常用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用中。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度以及热性能方面表现出色。其设计目标是满足高效率和紧凑型解决方案的需求。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：15A
导通电阻Rds(on)：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗Ptot：9W
工作温度范围Tj：-55°C 至 +150°C
BC808-25E6327具有低导通电阻，可显著降低传导损耗，从而提高整体系统效率。
该器件具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适合高频操作环境。
封装形式支持良好的散热性能，有助于提升产品的可靠性与稳定性。
其稳健的设计允许在严苛的工作条件下长期运行，例如高温或高电流场景。
此外，内置的保护机制如过温关断和过流限制进一步增强了器件的安全性。
BC808-25E6327广泛应用于直流-直流转换器、电池管理系统、电动工具驱动电路、汽车电子设备中的负载控制以及消费类电子产品中的电源管理单元。
在工业领域，它适用于伺服电机驱动、不间断电源(UPS)和其他需要高效功率转换的应用。
由于其紧凑的尺寸和出色的电气性能，也常被选用在空间受限但对性能要求较高的场合。
AO3400A
IRLZ44N
FDP5502
Si4472DY
