时间：2025/12/26 22:38:26
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SZSMF6.5AT1G是一款由ONSEMI（安森美）生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），专门用于保护敏感电子设备免受瞬态电压事件的损害，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应等。该器件采用紧凑的SOD-123FL封装，具有低漏电流、快速响应时间和高浪涌能力等特点，适用于多种低压电路保护场景。其标称反向截止电压为6.5V，能够在短时间内承受高达15A的峰值脉冲电流（8/20μs波形），同时将钳位电压限制在合理范围内，从而有效防止下游元件受损。该TVS二极管广泛应用于便携式消费类电子产品、通信接口、电源管理电路以及工业控制设备中，作为第一道防线提供可靠的过压保护。
SZSMF6.5AT1G符合AEC-Q101汽车级认证标准，表明其具备优异的可靠性与稳定性，适合在严苛的环境条件下运行，尤其是在汽车电子系统中表现出色。此外，该器件还满足RoHS环保要求，无铅且符合绿色制造规范。其小尺寸封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提升了整体制造效率。由于其双向击穿特性，SZSMF6.5AT1G可用于交流信号线路或可能承受正负瞬变电压的直流线路中，增强了设计灵活性。总体而言，这款TVS二极管是一款高性能、高性价比的电路保护解决方案，特别适用于需要紧凑布局和高可靠性的现代电子系统。
类型：双向TVS二极管
封装：SOD-123FL
反向工作电压(VRWM)：6.5V
击穿电压(MIN)：7.23V
击穿电压(MAX)：8.91V
测试电流(IT)：1mA
最大钳位电压(VC)：11.2V
峰值脉冲电流(IPP)：15A
峰值脉冲功率(PPPM)：1500W
漏电流(IR)：小于1μA
极性：双向
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
符合标准：AEC-Q101, RoHS
SZSMF6.5AT1G的最主要特性之一是其卓越的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应突发的过电压事件，迅速将电压钳制在安全水平，防止敏感半导体器件如MCU、传感器或通信芯片因高压瞬变而损坏。其1500W的峰值脉冲功率容量意味着它能够吸收较大的能量冲击，尤其适用于暴露在恶劣电磁环境中的系统。该TVS二极管采用先进的硅PN结工艺制造，确保了稳定的击穿特性和长期使用的可靠性。双向结构设计使其能够应对正负方向的瞬态电压，非常适合用于差分信号线、USB接口、GPIO引脚等可能发生双向电压突变的应用场合。
另一个关键特性是其极低的漏电流，在正常工作电压下漏电流小于1μA，几乎不会对系统的静态功耗造成影响，这一点对于电池供电的便携式设备尤为重要。同时，其6.5V的反向截止电压适配于5V及以下逻辑电路的保护需求，兼容TTL、CMOS等多种数字接口标准。SOD-123FL封装具有较小的寄生电容，通常低于10pF，因此在高频信号路径中引入的信号失真极小，适用于高速数据线路如I2C、SPI、UART等总线保护。
热性能方面，该器件具备良好的散热能力，得益于其封装结构优化和内部芯片设计，可在-55℃至+150℃的宽温度范围内稳定工作，适应极端高低温环境。此外，通过AEC-Q101认证意味着该产品经过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、机械冲击等项目，保证了在汽车电子应用中的耐用性。其无铅且符合RoHS指令的设计也符合当前全球环保趋势，支持绿色电子产品开发。综合来看，SZSMF6.5AT1G以其高可靠性、小体积、低漏电和强抗扰能力成为现代电子系统中不可或缺的保护元件。
SZSMF6.5AT1G广泛应用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中，特别是在便携式消费类电子产品中扮演重要角色，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于保护USB端口、耳机插孔、触摸屏控制器等易受ESD影响的接口。在通信领域，它常被部署于RS-232、CAN、LIN、I2C、SPI等信号线上，防止因线路感应或人为接触产生的静电破坏主控芯片。汽车电子系统是其另一大应用场景，得益于AEC-Q101认证，该器件可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、传感器接口、电源分配网络等部位，提升整车电磁兼容性和运行稳定性。
工业控制系统中，PLC输入输出端口、继电器驱动电路、编码器信号线等都可能遭受开关瞬态或雷击感应电压，SZSMF6.5AT1G可有效抑制这些干扰，保障设备连续运行。此外，在电源管理单元中，该TVS管可用于稳压器输出端或LDO前后级保护，防止启动瞬间或负载突变引起的电压尖峰。医疗电子设备中对可靠性和安全性要求极高，该器件也可用于患者连接接口的防护，避免外部静电耦合导致设备误动作或损坏。总之，凡是有潜在过压风险且工作电压在6.5V左右的电路节点，均可考虑使用SZSMF6.5AT1G进行可靠保护。
[
"SMF6.5A",
"P6SMB6.8CA",
"SMAJ6.5A",
"TPSMA6.5A"
]
