FN18N201J500PSG是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。它通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
FN18N201J500PSG的封装形式为TO-252(DPAK),能够提供出色的散热性能,并且适合表面贴装技术(SMT)以简化生产流程。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:37A
导通电阻:2.8mΩ(典型值,@Vgs=10V)
栅极电荷:48nC
输入电容:1590pF
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻确保了高效的能量转换,减少了功率损耗。
2. 高额定电流能力使其能够在多种大功率应用场景下稳定运行。
3. 快速开关速度有助于减少开关损耗并提升系统效率。
4. 小型化的TO-252封装降低了PCB空间占用,同时具备优秀的散热性能。
5. 宽广的工作温度范围使其适合工业和汽车级应用环境。
6. 具备较高的雪崩耐量和鲁棒性,可承受瞬态电压冲击。
7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关
2. DC-DC转换器中的同步整流
3. 电机驱动电路中的功率级开关
4. 电池管理系统中的负载开关
5. 汽车电子中的逆变器和控制器
6. 工业自动化设备中的功率转换模块
7. 太阳能微逆变器及其他绿色能源解决方案
IRFZ44N
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AO3400A