您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SZSMF6.0AT1G

SZSMF6.0AT1G 发布时间 时间:2025/12/26 22:05:17 查看 阅读:12

SZSMF6.0AT1G是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态过电压防护。该器件属于表面贴装型SMF系列,采用紧凑的DO-219AB(SMF)封装,适用于需要高可靠性、小体积保护元件的应用场合。SZSMF6.0AT1G具有快速响应时间、低钳位电压以及高浪涌吸收能力,能够在瞬间过压事件中迅速将电压钳制在安全水平,从而有效保护后级敏感电子元器件免受损坏。该TVS二极管的标称击穿电压为6.0V,适用于工作电压接近5V或以下的低压电路系统,例如USB接口、便携式消费电子产品、通信端口等。其设计符合RoHS环保要求,并具备良好的热稳定性和长期可靠性,适合在工业、汽车电子及消费类电子产品中广泛使用。由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式,SZSMF6.0AT1G成为现代电子设备中实现高效能电磁兼容(EMC)和过压保护的理想选择之一。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装:SMF(DO-219AB)
  反向待机电压(VRWM):6.0V
  击穿电压(VBR):6.67V @ 1mA
  最大钳位电压(VC):10.5V @ 1.3A
  峰值脉冲功率(PPPM):600W
  测试电流(IT):1mA
  最大反向漏电流(IR):1μA
  峰值脉冲电流(IPP):5.71A
  通道数:1
  工作结温范围(TJ):-55°C ~ +150°C

特性

SZSMF6.0AT1G具备出色的瞬态过压保护能力,其核心特性之一是快速响应时间,通常在皮秒级别,能够在静电放电(ESD)或雷击感应等瞬态干扰发生的瞬间立即导通,将高压能量迅速泄放到地,防止其传递到后续电路造成损害。该器件采用单向结构设计,使其在正常工作状态下对电路几乎无影响,仅在出现正向过压时发挥作用,特别适合用于直流电源线路或信号线的保护。其低钳位电压特性确保了即使在大电流冲击下,输出端电压也能被限制在安全范围内(最大10.5V),这对于保护如CMOS逻辑电路、微控制器、传感器等耐压较低的元件至关重要。
  该TVS二极管具有高达600W的峰值脉冲功率承受能力,能够应对IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)和IEC 61000-4-4(电快速瞬变脉冲群)等严苛的电磁兼容性测试标准,满足工业与消费类产品的EMC设计需求。SMF封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,有助于在多次浪涌事件中保持稳定性。此外,器件的反向漏电流极低(典型值1μA),在待机或低功耗模式下不会显著增加系统功耗,适用于电池供电设备。材料与制造工艺符合无铅和RoHS指令要求,支持回流焊工艺,便于自动化生产。整体而言,SZSMF6.0AT1G以其高可靠性、小尺寸和优异的保护性能,成为现代电子系统中不可或缺的电路保护元件。

应用

SZSMF6.0AT1G广泛应用于各类需要静电和瞬态电压防护的电子设备中。常见应用场景包括USB 2.0/3.0数据线保护,用于防止用户插拔过程中产生的ESD损坏主机或外设控制器;在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,用于保护LCD模块、摄像头模组、按键接口等敏感电路;在工业控制系统中,用于PLC输入输出端口、传感器接口、通信总线(如RS-232、RS-485)的过压防护;同时也适用于汽车电子中的车载娱乐系统、导航设备、ECU外围电路等对可靠性和环境适应性要求较高的领域。此外,该器件还可用于电源管理单元(PMU)、DC-DC转换器输入端的浪涌抑制,以及任何工作电压在5V左右且需防止瞬态干扰的模拟或数字信号路径中。由于其符合AEC-Q101车规认证,因此在汽车电子领域的应用尤为广泛。其紧凑的SMF封装也使其非常适合高密度布局的现代PCB设计。

替代型号

SMAJ6.0A;P6KE6.8A;TPSMAJ6.0A

SZSMF6.0AT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SZSMF6.0AT1G参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器
  • 封装Reel