FFSP20120A是一款基于硅技术的高压MOSFET功率整流二极管,采用超快恢复技术设计。该器件具有较低的正向电压降(VF)和快速的反向恢复时间(trr),适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用场合。
FFSP20120A在高频率工作环境下表现出优异的性能,能够有效减少开关损耗并提高整体效率。其封装形式通常为TO-220或类似的功率封装,便于散热管理。
最大重复峰值反向电压:200V
平均正向电流(IF(AV)):12A
非重复峰值正向浪涌电流(IFSM):160A
典型正向电压(VF):1.1V@12A
最大反向恢复时间(trr):35ns
结电容(Cj):40pF
功耗(PD):150W
工作结温范围(TJ):-55℃至+175℃
FFSP20120A采用了先进的制造工艺,具备以下特点:
1. 超快恢复时间,减少高频开关时的能量损耗。
2. 低正向电压降,降低导通损耗。
3. 高浪涌电流能力,增强在瞬态条件下的耐受性。
4. 稳定的温度特性,适合高温环境下的应用。
5. 可靠性高,使用寿命长。
这些特性使FFSP20120A成为高频功率变换电路中的理想选择。
FFSP20120A广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中作为整流元件。
2. DC-DC转换器中用于电压调节。
3. 逆变器中实现直流到交流的转换。
4. 电机驱动电路中作为续流二极管。
5. 光伏逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
由于其出色的高频性能和可靠性,这款二极管特别适合于需要高效能量转换的应用场景。
FFSP20120B, MUR120, BYM20E200