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FFSP20120A 发布时间 时间:2025/5/10 13:56:14 查看 阅读:3

FFSP20120A是一款基于硅技术的高压MOSFET功率整流二极管,采用超快恢复技术设计。该器件具有较低的正向电压降(VF)和快速的反向恢复时间(trr),适用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用场合。
  FFSP20120A在高频率工作环境下表现出优异的性能,能够有效减少开关损耗并提高整体效率。其封装形式通常为TO-220或类似的功率封装,便于散热管理。

参数

最大重复峰值反向电压:200V
  平均正向电流(IF(AV)):12A
  非重复峰值正向浪涌电流(IFSM):160A
  典型正向电压(VF):1.1V@12A
  最大反向恢复时间(trr):35ns
  结电容(Cj):40pF
  功耗(PD):150W
  工作结温范围(TJ):-55℃至+175℃

特性

FFSP20120A采用了先进的制造工艺,具备以下特点:
  1. 超快恢复时间,减少高频开关时的能量损耗。
  2. 低正向电压降,降低导通损耗。
  3. 高浪涌电流能力,增强在瞬态条件下的耐受性。
  4. 稳定的温度特性,适合高温环境下的应用。
  5. 可靠性高,使用寿命长。
  这些特性使FFSP20120A成为高频功率变换电路中的理想选择。

应用

FFSP20120A广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中作为整流元件。
  2. DC-DC转换器中用于电压调节。
  3. 逆变器中实现直流到交流的转换。
  4. 电机驱动电路中作为续流二极管。
  5. 光伏逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
  由于其出色的高频性能和可靠性,这款二极管特别适合于需要高效能量转换的应用场景。

替代型号

FFSP20120B, MUR120, BYM20E200

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FFSP20120A参数

  • 现有数量767现货
  • 价格1 : ¥98.66000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)20A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.75 V @ 20 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 1200 V
  • 不同?Vr、F 时电容1220pF @ 1V,100KHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商器件封装TO-220-2L
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C