SZMMBZ4252T1G 时间：2025/4/30 18:27:49 阅读：23

SZMMBZ4252T1G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
　　这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型，支持较高的连续漏极电流，并能在较宽的工作温度范围内稳定运行。其封装形式为 TOLL（TO-263-3），有助于提高散热性能，适用于对功率密度和热管理有较高要求的应用场景。

参数

类型：N沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：40V
　　最大栅源电压（V_GS）：±20V
　　连续漏极电流（I_D）：280A
　　脉冲漏极电流（I_Dpeak）：690A
　　导通电阻（R_DS(on)）：1.2mΩ（典型值，在 V_GS=10V 时）
　　总栅极电荷（Q_g）：265nC
　　输入电容（C_iss）：5760pF
　　反向传输电容（C_rss）：1080pF
　　输出电容（C_oss）：530pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

SZMMBZ4252T1G 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，可减少导通损耗，从而提高整体效率。
　　2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
　　3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗。
　　4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下保持性能。
　　5. 封装设计优化了散热路径，提高了功率密度。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
　　这些特点使 SZMMBZ4252T1G 成为工业电源、电动汽车和可再生能源等领域的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关和同步整流器。
　　2. 电机驱动电路，用于控制和调节电动机的速度与方向。
　　3. 大功率负载切换，如电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
　　4. 数据中心和服务器的电源管理模块。
　　5. 新能源汽车的逆变器和 DC/DC 转换器。
　　6. 工业自动化设备中的功率转换和驱动电路。
　　SZMMBZ4252T1G 的高效性能和可靠性使其在高功率密度和严苛环境的应用中表现出色。