时间：2025/9/21 11:42:27
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2SC5991-TD-E是一款由东芝（Toshiba）生产的NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于高频放大和高速开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（如S-Mini或类似的小型化封装），适合高密度安装的便携式电子设备和通信系统中使用。2SC5991-TD-E具有优良的高频特性，适用于射频（RF）信号放大、音频前置放大以及各类模拟和数字电路中的驱动级应用。其设计注重低噪声、高增益和良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于消费类电子产品、工业控制设备及通信模块等。该晶体管符合RoHS环保标准，具备无铅焊接兼容性，适应现代绿色制造工艺的要求。通过优化内部结构和材料选择，2SC5991-TD-E在保证高性能的同时实现了小型化与高可靠性，是许多中低功率放大与开关电路中的理想选择之一。
类型：NPN
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极-基极电压（VCBO）：60V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
集电极电流（IC）：150mA
功耗（Pc）：200mW
直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC=1mA, VCE=6V）
过渡频率（fT）：80MHz
工作结温（Tj）：-55°C～+150°C
封装形式：S-Mini（USMT）
2SC5991-TD-E晶体管具备优异的高频响应能力，其典型过渡频率（fT）高达80MHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，例如无线通信设备中的射频前端、FM收音机调谐器、电视调谐模块以及各种高频振荡电路。该器件的直流电流增益（hFE）范围宽广，从70到700，表明其在不同工作电流下均能保持较高的放大倍数，有利于提升电路的灵敏度与稳定性。这种宽增益分布也使得在批量生产中可以通过筛选获得性能一致的配对晶体管，适用于差分放大器或推挽输出级等需要匹配特性的场合。
该晶体管的集电极电流额定值为150mA，集电极-发射极击穿电压为50V，表明其适用于中低功率信号处理场景，在不过度牺牲效率的前提下提供足够的驱动能力。其最大功耗为200mW，结合小型S-Mini封装，实现了体积与性能的良好平衡。该封装具有较小的寄生电感和电容，有助于减少高频信号传输过程中的失真和损耗，进一步提升了高频性能表现。
2SC5991-TD-E采用符合RoHS标准的无铅材料制造，并支持回流焊工艺，适应自动化表面贴装生产线的需求。其工作结温范围为-55°C至+150°C，确保在恶劣环境条件下仍能可靠运行，适用于工业级和部分汽车电子应用场景。此外，该器件具有较低的饱和压降，有助于降低导通损耗，提高电源效率。其良好的热稳定性和老化特性也延长了产品的使用寿命，减少了系统维护成本。综合来看，2SC5991-TD-E是一款集高频、低噪、高增益和小型化于一体的通用高频NPN晶体管，广泛应用于现代电子设备中。
2SC5991-TD-E常用于高频小信号放大电路，如便携式收音机、无线遥控器、蓝牙耳机、Wi-Fi模块等射频前端电路中作为低噪声放大器（LNA）。同时，它也适用于音频前置放大器、传感器信号调理电路、脉冲信号放大器以及各类开关电源中的驱动级电路。由于其高增益和快速响应特性，还可用于数字逻辑电路中的电平转换和信号缓冲。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、数码相机中，该晶体管可用于摄像头模组、触摸屏控制器或电源管理单元中的信号控制部分。此外，在工业控制、测量仪器和通信基站的辅助电路中也有广泛应用。
2SC5991,TTC5991
