SZMM3Z56VT1GX是一种表面贴装的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压的应用。该器件由ONSEMI(安森美半导体)制造,具有小尺寸、低功耗和高稳定性的特点,适用于便携式电子设备、电源管理系统以及各类模拟电路中。
类型:齐纳二极管
齐纳电压:5.6V
容差:±5%
最大耗散功率:200mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOD-323(小型表面贴装封装)
引脚数:2
最大反向漏电流:100nA(在最大额定电压下)
齐纳阻抗(Zzt):约10Ω
SZMM3Z56VT1GX采用了先进的硅平面技术,具有良好的稳定性和温度特性。其SOD-323封装形式使其适用于高密度电路设计,同时具有较低的热阻,有助于快速散热。该器件的齐纳电压公差为±5%,确保了在关键应用中的电压精度。此外,其低动态阻抗特性有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性,适合用作电压参考源或过压保护元件。该器件还具有快速响应时间,适用于需要快速电压钳位的电路。其封装符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。
SZMM3Z56VT1GX广泛应用于需要稳定参考电压的电路中,如电源稳压器、电压检测电路、电池管理系统、工业控制设备以及消费类电子产品。此外,它也常用于保护电路,防止电压过冲损坏敏感的电子元件。
MM3Z56V-TP, BZX84C5V6, MMSZ5231B