时间：2025/9/13 23:07:52
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SZMM3Z30VT1GX是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的表面贴装型齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护。该器件适用于需要稳定电压参考的电子电路设计，例如在电源管理、电池充电器、电压监测器和嵌入式系统中。SZMM3Z30VT1GX采用SOD-523封装，具有小尺寸和高稳定性的特点，适合在空间受限的设计中使用。
类型：齐纳二极管
封装类型：SOD-523
齐纳电压：30V ±5%
最大齐纳电流：200mA
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
正向电压降（@IF=100mA）：1.2V
最大反向漏电流（@VR=10V）：100nA
测试电流：10mA
SZMM3Z30VT1GX是一款高性能的齐纳二极管，其核心特性在于其稳定的电压参考能力和高可靠性。该器件的齐纳电压为30V，精度为±5%，能够在宽温度范围内保持稳定的电压调节性能。此外，该齐纳二极管的最大耗散功率为300mW，能够承受一定的功率负载，适用于多种电压调节和稳压应用。SZMM3Z30VT1GX的正向电压降为1.2V（在100mA电流下），确保在正向导通状态下的低功耗。由于其SOD-523的小型封装，该器件非常适合在空间受限的应用中使用，例如便携式电子设备和嵌入式系统。此外，该器件的反向漏电流极低，在10V反向电压下最大仅为100nA，有助于减少电路中的漏电流损耗，提高系统的整体效率。SZMM3Z30VT1GX的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种工业和汽车电子应用环境。
SZMM3Z30VT1GX广泛应用于需要稳定电压参考的电子电路中，例如电源管理系统、电池充电器、电压监测器和嵌入式控制系统。由于其高稳定性和小尺寸封装，该器件特别适用于便携式电子产品、消费类电子设备和工业控制设备。此外，SZMM3Z30VT1GX也常用于过压保护电路、信号调节电路以及电压钳位电路，以确保电路在异常电压条件下的稳定运行。在汽车电子系统中，该器件可用于车载电源调节、车载充电器和车载电子控制模块。此外，在通信设备和传感器接口电路中，SZMM3Z30VT1GX也可以作为电压基准源使用。
MM3Z30VT1, SZMM3Z30VT1, BZX84-C30, MMSZ5246B
