SZMM3Z24VT1G是一款由ONSEMI(安森美半导体)制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压生成。该器件采用SOD-323(SC-76)封装,适用于高精度和小型化设计的电子电路中。SZMM3Z24VT1G具有稳定的齐纳电压、低动态阻抗和良好的温度稳定性,适合在便携式设备、电源管理模块和精密测量仪器中使用。
齐纳电压Vz:24V
容差:±5%
最大耗散功率:200mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-323(SC-76)
引脚数:2
最大反向电流:100nA(@ Vz = 24V)
测试电流Iz:10mA
动态阻抗Zzt:900Ω(最大)
泄漏电流Ir:100nA(最大,@ Vz = 24V)
SZMM3Z24VT1G具备出色的电压稳定性,能够在宽温度范围内保持齐纳电压的准确性,适合用于精密电压参考源。
其低动态阻抗确保在负载变化时输出电压的波动较小,提高系统的稳定性。
该器件采用小型SOD-323封装,节省PCB空间,适合高密度电路设计。
齐纳电压容差为±5%,满足大多数工业级应用对电压精度的要求。
额定功率为200mW,支持在有限的散热条件下正常工作。
由于其低泄漏电流特性,该齐纳二极管在低功耗系统中表现良好,适合电池供电设备使用。
该器件具有良好的温度系数,确保在高温或低温环境下仍能保持稳定的工作性能。
SZMM3Z24VT1G广泛应用于电压调节电路中,例如在电源稳压模块中作为参考电压源使用。
在电池管理系统中用于电压监测和保护电路。
在模拟电路中作为精密电压参考点,例如在运算放大器配置中提供偏置电压。
适用于工业控制设备、传感器电路、数据采集系统等需要稳定电压参考的场合。
也常用于测试设备和测量仪器中,确保测量结果的准确性和重复性。
在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于低功耗电压调节应用。
MM3Z24V, BZT52-B24-S, SZMM3Z24VT1