时间：2025/9/14 1:11:22
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SZMM3Z11VT1GX 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装型多层变容二极管（Varactor Diode），主要用于射频（RF）和微波调谐电路中的电压控制应用。该器件采用 SOD-323 小型封装，适用于高频率调谐电路，如无线通信系统、调频接收器和频率合成器等。SZMM3Z11VT1GX 的设计支持低功耗、高稳定性和高频响应，是现代射频电路中常见的关键组件。
类型：变容二极管
封装类型：SOD-323
电容值（@ VR）：11 pF @ 1 V
电容比（Cmax/Cmin）：4.5
最大反向电压：20 V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
极性：单阳极
电容公差：±10%
串联电阻（Rs）：最大 2 Ω
二极管配置：单个变容二极管
SZMM3Z11VT1GX 的主要特性之一是其在 1 V 反向偏置电压下具有约 11 pF 的电容值，这使其非常适合用于中高频范围内的调谐电路。该变容二极管的电容比为 4.5，意味着其电容值可以在较宽范围内通过调整偏置电压进行控制，从而实现频率调谐的灵活性。
此外，该器件的最大反向电压为 20 V，确保其在多种射频应用中的稳定性和耐用性。SOD-323 封装不仅节省空间，还提供了良好的高频性能，适合表面贴装工艺（SMT）自动化生产。
该变容二极管的工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，使其在极端环境条件下也能保持稳定运行。电容公差为 ±10%，有助于在批量应用中保持一致的调谐特性。同时，其串联电阻（Rs）最大为 2 Ω，降低了高频损耗，提高了整体电路效率。
由于其单阳极结构，SZMM3Z11VT1GX 可用于单向调谐电路设计，适用于需要高精度频率控制的通信设备、无线模块和射频前端电路。
SZMM3Z11VT1GX 广泛应用于射频和微波调谐电路，包括无线通信系统、调频收音机、频率合成器、压控振荡器（VCO）和射频滤波器等。其低功耗、高稳定性和高频响应特性使其成为现代射频设备中不可或缺的元件。该变容二极管也常用于无线基站、射频识别（RFID）设备、卫星通信系统和移动电话前端模块中。此外，SZMM3Z11VT1GX 还可用于调谐 LC 振荡电路，实现电压控制频率调节，适用于无线传感器网络和物联网（IoT）设备中的射频前端调谐应用。
BB130, SMV1233-040LF, MVAM1102, 1SV149
