时间：2023/4/4 11:16:23
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MMQA6V8T1G技术参数
雪崩电压VBRmin(V)：6.460
雪崩电压VBRnom(V)：6.800
雪崩电压VBRmax(V)：7.140
IT(mA)：1
最大反向漏电流IR(nA)：100
峰值反向工作电压VRWM(V)：4.300
最大反向浪涌电流Ipp(A)：2.450
最大反向电压(钳位电压)Vc(V)：9.800
最大齐纳阻抗Zzt(W)：300
封装/温度(℃)：6SC-74/-55~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
