时间：2025/6/28 17:37:04
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SZESD8351HT1G是一款由Semtech公司生产的超低电容TVS（瞬态电压抑制）二极管阵列，主要用于保护高速数据线免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他瞬态电压的损害。该器件具有极低的负载电容(典型值为0.4pF)，非常适合用于高速信号线路，例如USB 3.2、HDMI 2.1、DisplayPort等。它采用DFN封装形式，具有小尺寸和高可靠性特点，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
这款器件设计符合IEC 61000-4-2国际标准，能够提供高达±30kV的接触放电保护，同时保持信号完整性和系统性能。
工作电压：±7V
峰值脉冲电流：±12A
箝位电压：±14V
响应时间：1ps
结电容：0.4pF
漏电流：±1nA @ VRWM
封装类型：DFN-6 (HT1G)
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的负载电容(0.4pF)，确保高速信号传输不受影响。
2. 高度可靠的ESD保护能力，可承受±30kV接触放电和±30kV空气放电。
3. 快速响应时间(1皮秒)，有效抑制瞬态电压威胁。
4. 小型化封装(DFN-6)，节省PCB空间。
5. 工作电压范围宽，适用于多种应用场景。
6. 超低漏电流(<1nA)，减少功耗并提高系统稳定性。
7. 符合RoHS标准，环保无铅工艺生产。
1. 高速接口保护：USB 3.2、HDMI 2.1、DisplayPort、MIPI、LVDS。
2. 移动设备：智能手机、平板电脑、笔记本电脑。
3. 消费类电子产品：电视、音响、游戏机。
4. 工业控制：传感器、PLC、人机界面(HMI)。
5. 通信设备：路由器、交换机、基站。
6. 汽车电子：信息娱乐系统、导航设备、ADAS系统。
SZESD8341HT1G
SZESD8352HT1G
SZESD8342HT1G
