SZ2282RL是一款由Sanken Electric(三健电机)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等高效率功率转换系统中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压和大电流承载能力,有助于提高系统效率并减少发热。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds):30V
最大栅极电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):100A(在Tc=25℃时)
导通电阻(Rds(on)):最大3.5mΩ(在Vgs=10V时)
封装类型:TO-252(DPAK)
工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
功率耗散(Pd):100W
SZ2282RL具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,从而提高了系统的整体能效。其次,该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术,使得在相同的芯片尺寸下,能够实现更高的电流密度和更低的导通电阻。此外,SZ2282RL的封装形式为TO-252(DPAK),具有良好的热管理和机械稳定性,适用于需要高效散热的应用场景。
其最大漏极电压为30V,最大连续漏极电流可达100A,适用于中高功率应用。该器件还具有良好的抗雪崩能力,能够在过载或瞬态条件下提供更高的可靠性。栅极驱动电压范围为±20V,兼容常见的12V和10V栅极驱动器,便于设计和集成。
在工作温度方面,SZ2282RL可在-55℃至150℃的宽温度范围内稳定工作,适应各种严苛的工业环境。其最大功率耗散为100W,支持在高负载条件下持续运行。
SZ2282RL常用于各类功率电子设备中,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件在需要高效能、高可靠性的应用中表现尤为出色。例如,在电动汽车(EV)充电系统中,SZ2282RL可用于主功率开关或辅助电源模块中的关键元件,确保高效稳定的能量转换;在服务器电源系统中,它则可作为同步整流MOSFET,显著提升电源转换效率,降低能耗。此外,在太阳能逆变器和储能系统中,SZ2282RL也常被用于高频率开关应用中,以优化系统性能。
SiS6210, IRF1404, FDP6675, IPB025N03LC