电容值：33pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　介质材料：C0G (NP0)
　　封装尺寸：0805 (2012mm)
　　端接类型：表面贴装（SMD）
　　绝缘电阻：10,000MΩ 以上
　　工作温度特性：Class I
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计

EMVH201GTR330MLN0S 的主要特性包括极高的温度稳定性，其电容值在温度变化时几乎保持不变（C0G/NP0特性），非常适合对频率稳定性要求高的电路，如振荡器和滤波器。此外，该电容器采用多层陶瓷结构，具有优异的高频响应性能和低损耗，适用于高频信号处理和高速数字电路。
　　该电容器还具有良好的耐压能力，额定电压为50V，能够在多种电源和信号电路中稳定工作。其表面贴装封装形式（0805）便于自动化生产和高密度PCB布局，并且具有良好的机械强度和耐热性，适合回流焊工艺。
　　由于其低ESR和高Q值特性，EMVH201GTR330MLN0S 在射频电路、电源去耦和旁路应用中表现优异，能够有效降低高频噪声并提升电路的稳定性。同时，其±5%的容差确保了在关键电路中的精度要求。

EMVH201GTR330MLN0S 广泛应用于以下领域：射频通信设备中的滤波和振荡器电路、精密模拟电路中的信号耦合与去耦、高速数字电路中的电源去耦、工业控制系统的信号处理模块、消费类电子产品的电源管理电路、以及汽车电子系统中的高可靠性电路。由于其优异的温度特性和高频性能，该电容器特别适合用于对频率稳定性有严格要求的场景，如无线基站、测试仪器和精密传感器等。

CL21B330JBQNNXC, GRM21BR71H333KA01L, C2012X5R1H333KT000NC, EMK212BJ331KV-F