时间:2025/12/26 21:31:59
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SZ1SMB33CAT3G是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的单向瞬态电压抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor),采用SMB(DO-214AA)封装。该器件专为保护敏感电子电路免受瞬态电压事件(如静电放电ESD、电感负载切换引起的电压尖峰、雷击感应脉冲等)的损害而设计。作为一款钳位型TVS二极管,SZ1SMB33CAT3G在正常工作条件下呈现高阻抗状态,对电路影响极小;当受到超过其击穿电压的瞬态过压冲击时,它会迅速(通常在皮秒级)转变为低阻抗状态,将过量电流引导至地,从而将电压钳制在一个安全水平,有效保护下游元件。该型号的标称击穿电压为36.7V,最大反向关断电压为33V,能够承受高达600W的峰值脉冲功率(按照8/20μs电流波形测试)。由于其SMB小型表面贴装封装,SZ1SMB33CAT3G非常适合空间受限的应用场景,如便携式电子产品、通信接口和工业控制设备中的电源线或信号线保护。
类型:单向TVS二极管
封装:SMB(DO-214AA)
通道数:1
反向关断电压(VRWM):33 V
击穿电压(VBR):最小 36.7 V,典型 38.6 V,最大 40.5 V
钳位电压(VC):58.1 V(在IPP = 10.3 A时)
峰值脉冲功率(PPPM):600 W
最大反向漏电流(IR):5 μA(在VRWM下)
测试电流(IT):1 mA
引线温度(焊接,10秒):260 °C
工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围(TSTG):-55 °C 至 +150 °C
SZ1SMB33CAT3G具备出色的瞬态电压抑制能力,其核心优势在于快速响应时间和高能量吸收能力。当电路中出现瞬态过压事件时,该TVS二极管能够在极短的时间内从高阻态切换到低阻态,响应时间通常在纳秒甚至皮秒级别,远快于传统的过压保护器件如保险丝或热敏电阻,确保在瞬态电压达到被保护器件之前就将其钳制在安全范围内。这种快速反应机制对于防止现代高速数字电路和精密模拟电路因ESD或EFT(电快速瞬变脉冲群)而损坏至关重要。此外,该器件能够承受高达600W的峰值脉冲功率,符合IEC61000-4-2、IEC61000-4-4和IEC61000-4-5等国际电磁兼容性(EMC)标准中对ESD、EFT和浪涌测试的要求,使其成为工业环境和严苛应用场景下的理想选择。
SZ1SMB33CAT3G的电气参数经过严格设计和筛选,具有良好的一致性和可靠性。其最大反向关断电压为33V,适用于保护标称工作电压接近33V的直流电路,例如某些工业总线、汽车电子模块或电信设备中的电源轨。击穿电压范围明确,保证了在过压事件发生时能够可靠触发,而不会在正常工作电压波动下误动作。钳位电压被限制在58.1V以下,在最大峰值电流10.3A时仍能有效保护后级电路。低反向漏电流(最大5μA)意味着在正常工作状态下,该器件对系统功耗的影响微乎其微,特别适合电池供电的低功耗应用。
该TVS二极管采用SMB(DO-214AA)表面贴装封装,体积小巧,便于自动化贴片生产,有助于提高生产效率并减小PCB占用面积。SMB封装具有良好的散热性能,能够有效将瞬态事件中产生的热量传导出去,避免器件因过热而失效。器件符合RoHS指令,无铅且环保,适用于现代绿色电子产品制造。其宽广的工作结温和存储温度范围(-55°C至+150°C)使其能够在极端温度环境下稳定工作,适用于汽车、工业和户外设备等对环境适应性要求高的领域。
SZ1SMB33CAT3G广泛应用于需要高可靠性过压保护的各种电子系统中。常见应用包括工业控制系统中的I/O端口保护,防止因现场传感器或执行器断开引起的电感反冲电压损坏PLC或控制器。在通信设备中,可用于保护RS-232、RS-485等串行通信接口免受ESD和雷击感应的影响。在汽车电子领域,可应用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统的电源输入端,以应对负载突降(Load Dump)等瞬态事件。此外,该器件也适用于消费类电子产品中的电源适配器输出端、USB充电端口以及任何工作电压在33V左右的直流电源线路,提供稳健的过压防护。其紧凑的SMB封装使其特别适合空间受限的便携式设备和高密度PCB布局。
SMC33CA
1.5KE33CA
P6KE33CA