制造商：Marki Microwave
　　产品系列：SYPS
　　开关类型：单刀双掷（SPDT）
　　配置：吸收式（Terminated）
　　频率范围：DC ~ 65 GHz
　　插入损耗：典型值 1.5 dB @ 40 GHz
　　隔离度：典型值 >35 dB @ 40 GHz
　　回波损耗：>15 dB（典型值）
　　切换时间：上升/下降时间 < 2 ns
　　驱动电压：正负双电源或单电源偏置
　　PIN二极管类型：GaAs工艺集成
　　封装形式：陶瓷侧壁密封封装（LCC）
　　端口数量：3（RF1, RF2, Common）
　　阻抗：50 Ω 标准匹配
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ROHS合规性：符合（视具体批次而定）

SYPS-2-1+ 的核心特性之一是其超宽带工作能力，覆盖从直流到65 GHz的极宽频率范围，这使得它能够在多种高频系统中替代多个窄带开关，简化系统设计并减少组件数量。这种宽带性能得益于其精密的分布式传输线匹配结构和低寄生电容/电感的内部布局设计，确保在整个频段内保持稳定的电气性能。该器件采用吸收式拓扑结构，在非选通端口上集成了匹配负载，有效减少了反射信号对系统的影响，提高了系统的整体稳定性与抗干扰能力。
　　另一个关键优势是其出色的射频性能指标。SYPS-2-1+ 在40 GHz频率下仍能保持典型的1.5 dB插入损耗和超过35 dB的隔离度，这对于毫米波通信链路、相控阵雷达前端和高频测试仪器至关重要。低插入损耗意味着更少的信号衰减，有助于维持系统增益预算；高隔离度则防止了通道间的串扰，提升了多路复用系统的信噪比。此外，其回波损耗优于15 dB，表明端口匹配良好，驻波比低，有助于减少因反射引起的信号失真。
　　该开关具备极快的切换速度，上升和下降时间均小于2纳秒，支持高速跳频、脉冲调制和雷达波束切换等动态应用场景。虽然为无源器件，但通过外部驱动电路可以实现精确的逻辑电平控制（如TTL或CMOS兼容），增强了系统的集成灵活性。其基于GaAs工艺制造的PIN二极管具有优异的载流子寿命控制特性和高功率耐受能力，可在高功率射频环境下长期稳定运行。
　　SYPS-2-1+ 采用陶瓷侧壁密封的小型化封装，具备良好的热稳定性和机械强度，适合在严苛环境（如航空航天、军事电子）中部署。同时，该封装支持表面贴装工艺，便于自动化生产装配。由于不包含有源晶体管，该器件无直流功耗，且不会产生噪声系数劣化问题，非常适合低噪声前端模块中的信号路由应用。

SYPS-2-1+ 被广泛应用于高性能射频与微波系统中，尤其适用于对频率带宽、切换速度和信号完整性要求极为严苛的场景。一个主要应用领域是测试与测量设备，例如矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪和信号发生器，其中需要在不同测试路径之间快速、可靠地切换射频信号。该器件的宽带特性使其无需频繁更换适配器或校准模块，显著提升测试效率和精度。
　　在雷达系统特别是相控阵雷达中，SYPS-2-1+ 可用于天线单元之间的波束成形网络切换，实现动态波束指向控制。其高速切换能力和高隔离度有助于提高雷达的空间分辨率和目标识别能力。此外，在电子战（EW）系统中，该开关可用于干扰信号路径的选择与切换，支持快速响应敌方雷达探测。
　　在无线通信领域，尤其是毫米波5G和未来6G的研发平台中，SYPS-2-1+ 可作为高频段射频前端的信号路由元件，用于基站原型机或多频段收发模块中的天线切换或滤波器选择。其低非线性特性保证了在高阶调制信号传输过程中不引入额外失真，保障通信质量。
　　科研与太赫兹技术研究也常采用此类高性能无源开关，用于构建可重构的实验系统或扫描成像装置。此外，在卫星通信和深空探测任务中，SYPS-2-1+ 凭借其高可靠性与宽温工作能力，成为空间级射频开关方案的重要候选之一。

UMS-2000B+
　　HMC346ALC4B
　　ZASWA-65-1RMS-S+
　　ERS-2TRMS+