时间:2025/12/28 11:15:16
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SWRH2D11R-150MT 是一款由 Vishay Semiconductor 推出的表面贴装肖特基势垒二极管,专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的平面技术制造,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适用于各种电源管理电路中。其封装形式为 SOD-123FL,是一种小型化、薄型化的表面贴装塑料封装,适合在空间受限的应用中使用,例如便携式电子设备和高密度印刷电路板设计。该二极管广泛用于直流-直流转换器、逆变器、续流二极管以及极性保护等场合。由于其出色的热稳定性和可靠性,SWRH2D11R-150MT 在工业控制、消费电子和通信设备中均有广泛应用。器件符合 RoHS 指令要求,并且具备无卤素(Halogen-free)特性,满足现代电子产品对环保材料的需求。
产品类型:肖特基势垒二极管
封装/外壳:SOD-123FL
是否无铅:是
是否环保:符合 RoHS 和无卤素要求
最大重复峰值反向电压(VRRM):150V
平均整流电流(IO):200mA
正向压降(VF):典型值 850mV(在 IF = 200mA 条件下)
最大反向漏电流(IR):200μA(在 VR = 150V,TA = 25°C)
反向恢复时间(trr):≤ 4ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
储存温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
热阻(RθJA):350 K/W(典型值)
安装类型:表面贴装
SWRH2D11R-150MT 具备优异的电气性能和热稳定性,能够在高频开关环境中保持高效运行。其核心优势在于采用了肖特基势垒结构,这种结构利用金属与半导体之间的势垒实现单向导电性,相比传统的PN结二极管,显著降低了正向导通压降(VF),从而减少功率损耗并提升系统整体能效。该器件的正向压降在200mA电流下仅为850mV左右,有助于延长电池供电设备的工作时间。此外,极短的反向恢复时间(trr ≤ 4ns)使其在高频DC-DC转换器和开关电源中表现出色,有效抑制了开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰问题。
该二极管具有良好的高温稳定性,可在高达+150°C的结温下持续工作,适用于环境温度较高的应用场景。其SOD-123FL封装不仅体积小巧(约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm),还具备优良的散热性能,通过优化引线框架设计增强了热传导能力。这使得器件即使在高负载条件下也能维持较低的工作温度,提高长期运行的可靠性。
Vishay 对该系列产品进行了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储寿命(HTSL)和温度循环测试,确保其在恶劣工况下的耐用性。同时,该器件具备较强的抗静电放电(ESD)能力,提升了在自动化装配过程中的鲁棒性。其低漏电流特性(最大200μA @ 150V)进一步减少了待机状态下的功耗,适合用于节能型电源设计。此外,该器件的制造工艺遵循AEC-Q101标准的部分应力测试要求,虽然不是车规级认证产品,但仍具备一定的工业级可靠性水平。
SWRH2D11R-150MT 广泛应用于需要小尺寸、高效率和快速响应的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC升压或降压转换器,作为续流二极管或防反接保护元件使用。在AC-DC适配器和USB充电模块中,它可用于次级侧整流,提升转换效率并降低发热。此外,在LED驱动电路中,该二极管可作为箝位或泄放路径,防止电压尖峰损坏敏感组件。
在工业控制领域,该器件适用于传感器供电单元、PLC模块电源和隔离式电源反馈回路。由于其快速响应能力和低漏电特性,也常用于信号整流、采样保持电路和高频检测系统。在通信设备中,如路由器、交换机和基站电源模块,SWRH2D11R-150MT 可用于低压差稳压器(LDO)旁路或负载切换电路,保障系统稳定运行。
此外,该二极管还可用于太阳能充电控制器、无线充电接收端以及电池管理系统(BMS)中的充放电路径隔离,发挥其低功耗和高可靠性的优势。其小型化封装特别适合高密度PCB布局,有助于缩小终端产品的整体尺寸。