时间:2025/12/27 7:02:20
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SWK4004是一款由Silan(士兰微电子)生产的N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,主要应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等高效率、高频开关场合。该器件采用先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点,能够在高温和高电压环境下稳定工作。SWK4004封装形式为SOT-23,属于小型表面贴装封装,适用于空间受限的便携式电子设备。其漏源电压(VDS)可达30V,栅源电压(VGS)最大为±20V,连续漏极电流(ID)在常温下可达到5.8A,脉冲电流能力更高,适合中等功率级别的应用需求。由于其优异的电气性能和可靠性,SWK4004广泛用于笔记本电脑适配器、LED驱动电路、电池管理系统、USB PD快充模块以及其他需要高效能MOSFET的场合。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子产品制造要求。
型号:SWK4004
品牌:Silan(士兰微电子)
器件类型:N沟道增强型MOSFET
封装类型:SOT-23
漏源电压VDS:30V
栅源电压VGS:±20V
连续漏极电流ID:5.8A(@25℃)
脉冲漏极电流IDM:23A
导通电阻RDS(on):17mΩ(@VGS=10V)
导通电阻RDS(on):22mΩ(@VGS=4.5V)
阈值电压VGS(th):1.0V ~ 2.5V(@ID=250μA)
输入电容Ciss:690pF(@VDS=15V)
输出电容Coss:170pF(@VDS=15V)
反向传输电容Crss:45pF(@VDS=15V)
栅极电荷Qg:12nC(@VGS=10V)
功耗PD:1.4W(@TA=25℃)
工作结温范围TJ:-55℃ ~ +150℃
存储温度范围TSTG:-55℃ ~ +150℃
SWK4004采用先进的TrenchFET沟槽技术,使得其在较小的芯片面积上实现了极低的导通电阻,从而显著降低了导通损耗,提高了整体系统的能效表现。该器件在VGS=10V时,RDS(on)仅为17mΩ,在VGS=4.5V时也能保持22mΩ的低阻值,这使其非常适合用于低电压驱动的应用场景,例如同步整流或由逻辑电平信号直接控制的开关电路。由于其低栅极电荷(Qg=12nC)和较低的输入/输出电容,SWK4004具备出色的开关特性,能够实现快速的开启与关断,减少开关过程中的能量损耗,特别适用于高频开关电源设计。
该MOSFET的封装为SOT-23,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的散热性能,通过优化的引线框架设计有效提升了热传导效率。尽管封装尺寸小,但其最大连续漏极电流可达5.8A(在25℃环境温度下),脉冲电流能力高达23A,展现出强大的电流承载能力。此外,SWK4004具有较高的栅源电压耐受能力(±20V),增强了在实际应用中的抗干扰能力和可靠性,避免因栅极过压导致器件损坏。
器件的工作结温范围宽达-55℃至+150℃,可在恶劣的温度环境中稳定运行,适用于工业级和消费类电子产品的严苛条件。其阈值电压范围为1.0V~2.5V,确保了在不同驱动条件下都能可靠开启。SWK4004还具备良好的雪崩能量耐受能力和抗短路能力,进一步提升了系统安全性。所有这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的功率开关解决方案,满足现代电源系统对效率、尺寸和可靠性的综合要求。
SWK4004广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC转换器,如降压(Buck)、升压(Boost)及升降压(Buck-Boost)拓扑结构,其中其低导通电阻和快速开关特性有助于提升转换效率并降低温升。在便携式设备如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机的电源管理模块中,SWK4004可用于电池充放电控制、负载开关或LDO旁路开关,实现精确的电源通断控制和节能管理。
此外,该器件也常见于LED背光驱动电路和恒流源设计中,作为开关元件参与PWM调光控制,凭借其快速响应能力保证亮度调节的平滑性与稳定性。在USB Type-C和PD快充协议相关的电源开关应用中,SWK4004可用于VBUS通路控制,承担大电流通断任务,保障充电安全与效率。工业控制领域中,它可用于小型继电器驱动、电机驱动电路或电磁阀控制,替代传统双极型晶体管以降低功耗并提高响应速度。
由于其SOT-23封装的小型化优势,SWK4004特别适合空间受限的高密度印刷电路板设计,如可穿戴设备、物联网传感器节点和微型电源模块。同时,其符合RoHS和无卤素要求,支持回流焊工艺,适应自动化生产流程,因此在消费电子、通信设备、智能家居产品和车载电子辅助系统中均有广泛应用。无论是作为主开关还是辅助开关元件,SWK4004都能提供稳定可靠的性能表现。
SI2302,AP2302,DMG2302