型号：SWG3406
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：9A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.75Ω（@10V VGS）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：180pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　封装形式：TO-252（D-PAK）

SWG3406具备优异的动态与静态电气特性，能够在高电压环境下稳定工作。其最大漏源电压可达600V，适用于离线式开关电源设计，尤其适合反激式（Flyback）拓扑结构中的主开关管应用。器件的低导通电阻（典型值0.75Ω）显著降低了导通期间的功率损耗，有助于提高电源系统的整体能效。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容使得该MOSFET在高频开关操作下仍能保持较低的驱动损耗，有利于实现小型化和高效化的电源设计。
　　该器件采用了优化的晶圆工艺，增强了雪崩能量承受能力和抗浪涌电流能力，提升了在异常工况下的可靠性。其快速的开关响应特性减少了开关过程中的交越损耗，进一步提升了转换效率。此外，SWG3406具有良好的热阻特性，TO-252封装形式能够有效将芯片热量传导至PCB，便于通过散热焊盘进行热管理，在连续负载条件下仍可维持稳定的性能表现。
　　在安全性和保护方面，该MOSFET具备较高的栅极耐压能力，防止因驱动信号过冲导致的栅氧层击穿。同时，其较宽的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在恶劣环境温度下可靠运行，适用于工业级应用场景。器件还具备较强的抗噪声干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定的开关行为。总体而言，SWG3406凭借其高耐压、低损耗、高可靠性和良好的热性能，成为中等功率开关电源设计中的优选器件之一。

SWG3406主要应用于各类中等功率开关电源系统中，典型用途包括AC-DC适配器、充电器、LED照明驱动电源、小型逆变器以及工业控制电源模块。在反激式开关电源中，它常被用作主开关管，负责将输入的高压直流或整流后的交流电进行高频斩波，以实现高效的能量传递。此外，该器件也适用于有源钳位、PFC（功率因数校正）电路中的开关元件，帮助提升系统的功率因数并降低谐波失真。
　　在消费电子领域，如笔记本电脑电源、手机快充头、智能家居设备供电单元中，SWG3406因其高效率和小体积优势而被广泛采用。在工业应用中，可用于PLC电源模块、继电器驱动电路和电机控制器中的功率切换部分。由于其具备良好的EMI性能和稳定性，也可用于对电磁兼容性要求较高的通信设备电源设计。
　　此外，该器件还可用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源等新能源相关产品中，作为核心开关元件参与能量转换过程。得益于其TO-252封装易于自动化贴装，适合SMT生产工艺，因此在大批量生产中具有良好的可制造性。综上所述，SWG3406适用于多种需要高压、高效、高可靠性的电力电子变换场合，是现代电源系统中不可或缺的关键元器件。

SPW3406, FQP3406, STP3406