SW2520R68GSB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,适合用于需要高电流处理能力和快速开关特性的电路设计。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产和安装。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:20A
导通电阻(典型值):6.8mΩ
栅极电荷:30nC
开关速度:10ns
工作温度范围:-55℃至175℃
SW2520R68GSB 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 出色的热稳定性,能够在宽温范围内保持性能。
4. 内置 ESD 保护功能,提高了芯片的抗静电能力。
5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时支持高效散热。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源适配器及充电器。
2. 各类 DC-DC 转换模块。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制部分。
5. 新能源汽车和电动车相关的电力电子系统。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率管理的应用场景。
IRFZ44N
FDP5570
STP20NF06L