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SW2520R68GSB 发布时间 时间:2025/6/28 17:29:44 查看 阅读:8

SW2520R68GSB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,适合用于需要高电流处理能力和快速开关特性的电路设计。其封装形式通常为行业标准的表面贴装类型,便于自动化生产和安装。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(典型值):6.8mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关速度:10ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

SW2520R68GSB 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 出色的热稳定性,能够在宽温范围内保持性能。
  4. 内置 ESD 保护功能,提高了芯片的抗静电能力。
  5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时支持高效散热。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源适配器及充电器。
  2. 各类 DC-DC 转换模块。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  4. 工业自动化设备中的功率控制部分。
  5. 新能源汽车和电动车相关的电力电子系统。
  6. LED 驱动器和其他需要高效功率管理的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5570
  STP20NF06L

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