类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id @25°C：100A
　　导通电阻 Rds(on)：@Vgs=10V: 最大值为 3.7mΩ；@Vgs=4.5V: 最大值为 5.8mΩ
　　功耗 Pd：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

SW100N03 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中具有较低的传导损耗，提高了整体能效。此外，该器件支持高达 100A 的连续漏极电流，并能在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级环境。
　　该 MOSFET 还具备出色的热稳定性，能够承受较高的功耗（最高达 250W），并且内置了静电放电（ESD）保护功能，提高了器件的耐用性和可靠性。其封装设计也优化了散热性能，有助于快速散发热量，防止过热导致的失效。
　　另一个显著优点是其栅极驱动电压兼容性较好，可以在 4.5V 至 10V 的范围内有效工作，便于与多种类型的控制器或驱动电路配合使用。因此，SW100N03 不仅适用于高性能功率电子设备，还能简化电路设计，提高系统的整体稳定性。

SW100N03 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **电源管理**：如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，用于提高电源转换效率，降低发热损失。
　　2. **电机驱动**：用于电动工具、工业自动化设备和机器人中的电机控制电路，提供高效、稳定的功率输出。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：作为充放电回路的主控开关，确保电池组的安全和高效运行。
　　4. **汽车电子**：如车载充电器、启动系统、车身控制模块等，满足汽车环境中对高可靠性和耐久性的要求。
　　5. **工业控制系统**：用于 PLC 控制器、继电器替代电路和高电流负载切换电路。

IRF1010E, IPW90R120I, SiR100DP