时间：2025/8/13 6:33:23
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LN7303DT1WG是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及其他需要高电流能力的电路中。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ（典型值）
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
LN7303DT1WG的主要特性包括其低导通电阻，使得在高电流条件下功耗更低，从而提高整体效率。此外，该MOSFET具有优异的热稳定性和高可靠性，适合在严苛的工业环境和汽车应用中使用。其Trench结构优化了开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时过载条件，提高了系统的耐用性和稳定性。
该MOSFET的封装形式为TO-252，这种封装具有良好的散热性能，同时便于在PCB上安装和焊接。LN7303DT1WG的高栅极电荷（Qg）特性也意味着其在开关过程中需要更多的驱动电流，因此在设计驱动电路时需要特别注意，以确保快速而有效的开关动作。
LN7303DT1WG广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。此外，该器件也适用于电池管理系统、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统。由于其高可靠性和热稳定性，它在要求苛刻的汽车和工业应用中特别受欢迎。
Si7303DP-T1-GE3, IRF7303TRL7PBF
