SVT8100VB是一款高集成度、低功耗的功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等领域。该器件采用先进的沟槽式技术,具有优异的导通电阻和开关性能,能够在高温和高负载条件下保持稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:100A
最大漏-源电压:80V
导通电阻(Rds(on)):8.1mΩ @ Vgs=10V
栅极电压范围:-20V ~ +20V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
SVT8100VB具有极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。其采用先进的沟槽式结构,优化了电流传导路径,从而提升了电流承载能力和热稳定性。此外,该器件具有快速开关特性,适用于高频开关应用,有助于减小外围电路的尺寸。SVT8100VB还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能,能够在严苛的工况下保持可靠运行。
该MOSFET的封装形式为TO-263(D2PAK),具备良好的散热能力,适用于高功率密度设计。其封装结构支持表面贴装,简化了PCB布局并提高了装配效率。在封装设计上,SVT8100VB还优化了引线电感,进一步提升高频开关性能并减少EMI干扰。这些特性使得该器件在电源转换、电机控制和工业自动化等应用中表现出色。
SVT8100VB广泛应用于多种电力电子系统中,包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、服务器电源、电信设备电源模块以及电动工具和无人机的动力控制系统。该器件的高效率和高可靠性使其在高性能电源设计中具有显著优势。
SiS886DN, NexFET CSD17551Q5A, IPB017N08NM5ATMA1